现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

S25HS512TFABHI010

数据手册
封装
每件.
有存货

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S25HS512TFABHI010
S25HS512TFABHI010
每件.
数据手册

商品详情

  • 密度
    512 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度
    -40 °C to 85 °C
  • 工作电压
    1.8 V
  • 引线球表面
    Sn/Ag/Cu
  • 接口带宽
    100 MByte/s
  • 接口
    Quad SPI
  • 接口频率(SDR/DDR) (MHz)
    166 / 102
  • 目前计划的可用性至少到
    2035
  • 系列
    HS-T
  • 认证标准
    Industrial
推荐的
OPN
S25HS512TFABHI010
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-BGA-24
封装名 FBGA-24 (002-15550)
包装尺寸 338
包装类型 TRAY
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-BGA-24
封装名 FBGA-24 (002-15550)
包装尺寸 338
包装类型 TRAY
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
S25HS512TFABHI010 是英飞凌 SEMPER ™ NOR 闪存系列 HS-T 中值得关注的成员。这款强大的存储设备密度为 512 Mbit，提供由英飞凌 45 纳米 MIRRORBIT ™技术驱动的多种功能。该设备的工作电压为 1.8 V，拥有四路 SPI 接口，带宽和频率选项分别为 100 MByte/s 和 166/102 MHz SDR/DDR，可确保满足您的技术需求的高速性能。

特性

  • 四路 SPI
  • 集成关键安全功能
  • 纠错码
  • 产品可用性 10 年以上
  • 数据保留 25 年
  • 安全启动和诊断

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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