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S27KL0641DABHB023

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S27KL0641DABHB023
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商品详情

  • 初始访问时间
    40 ns
  • 密度
    64 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 105 °C
  • 工作电压 范围
    2.7 V 至 3.6 V
  • 工作电压
    3 V
  • 引线球表面
    N/A
  • 总线宽度
    x8
  • 技术
    HYPERRAM
  • 接口带宽
    200 MByte/s
  • 接口
    HYPERBUS
  • 接口频率(SDR/DDR) (MHz)
    - / 100
  • 系列
    KL-1
OPN
S27KL0641DABHB023
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-BGA-24
封装名 FBGA-24 (002-15550)
包装尺寸 2500
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
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产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-BGA-24
封装名 FBGA-24 (002-15550)
包装尺寸 2500
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
S27KL0641DABHB023是一款64 Mb（8 MB）HyperRAM™自刷新DRAM，采用8位DDR低引脚接口（3.0 V I/O为11根总线信号）并带RWDS。支持1.8 V VCC/VCCQ时最高166 MHz（333 MBps），3.0 V时100 MHz（200 MBps），在166 MHz下最大访问时间36 ns。工作范围1.7 V至1.95 V或2.7 V至3.6 V，-40°C至+105°C，24球FBGA（5x5，1.00 mm间距）。

特性

  • HyperRAM低引脚接口
  • 8位DDR数据总线DQ[7:0]
  • I/O信号11/12根
  • 1.8 V时钟最高166 MHz
  • 3.0 V时钟最高100 MHz
  • 峰值带宽高达333 MBps
  • RWDS选通含写掩码
  • 包裹突发16/32/64/128B
  • 线性与混合突发模式
  • 支持深度掉电DPD
  • 电源范围1.7 V至1.95 V
  • 电源范围2.7 V至3.6 V

产品优势

  • 相比并行DRAM减少MCU引脚
  • DDR每拍吞吐更高
  • 走线更少更易布板
  • 166 MHz支持快速读访问
  • 100 MHz适配3.0 V主控
  • 333 MBps支持丰富HMI资源
  • RWDS简化时序并屏蔽写入
  • 突发可提升总线效率
  • 线性突发适合流式访问
  • DPD降低待机功耗
  • 1.8 V电源宽容简化电源
  • 3.0 V电源适配旧电源轨

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }