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S27KS0643GABHI020
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无铅

S27KS0643GABHI020

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S27KS0643GABHI020
S27KS0643GABHI020


商品详情

  • 初始访问时间
    35 ns
  • 密度
    64 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 范围
    1.7 V 至 2 V
  • 工作电压
    1.8 V
  • 引线球表面
    N/A
  • 技术
    HYPERRAM
  • 接口带宽
    400 MByte/s
  • 接口
    xSPI (Octal)
  • 接口频率(SDR/DDR) (MHz)
    - / 200
  • 目前计划的可用性至少到
    See roadmap
  • 系列
    KS-3
  • 质量等级
    Industrial

OPN
S27KS0643GABHI020
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
封装名 FBGA-24 (002-15550)
封装尺寸 338
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
TH
晶圆产地
TW

产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
封装名 FBGA-24 (002-15550)
封装尺寸 338
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
TH
晶圆产地
TW
S27KS0643GABHI020是一款64 Mb HYPERRAM™自刷新DRAM(PSRAM),采用Octal xSPI接口,1.8 V单电源(VCC/VCCQ 1.7 V至2.0 V)。支持DDR传输,时钟最高200 MHz,吞吐量达400 MBps,带RWDS数据选通与硬件RESET#,并支持线性或包裹突发配置。在2.0 V、105°C下深度掉电电流最大10 µA。工业级温度-40°C至+85°C,24球FBGA封装。

特性

  • 八线xSPI带CS#与RWDS
  • 8位DQ数据总线
  • 1.8 V与3.0 V接口
  • 最高200 MHz时钟
  • DDR双沿传输
  • 吞吐率高达400 MBps
  • 突发:线性与包裹
  • 包裹突发16/32/64/128B
  • 混合突发:包裹后线性
  • 可配输出驱动强度
  • Hybrid Sleep数据保留
  • 深度掉电停止刷新

产品优势

  • 八线xSPI降低布线复杂度
  • RWDS简化DDR时序设计
  • 双电压IO适配更多MCU
  • 200 MHz实现快速存取
  • DDR每时钟带宽翻倍
  • 400 MBps支持高速缓存
  • 突发模式优化效率
  • 包裹突发降低总线开销
  • 混合突发适配混合访问
  • 驱动可配改善信号完整性
  • Hybrid Sleep省电且保数据
  • DPD降低空闲电流

应用

文档

设计资源

开发者社区