S28HS256TGZBHB813

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封装

S28HS256TGZBHB813

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商品详情

分类

ISO 26262-compliant
密度

256 MBit
峰值回流温度

260 °C
工作温度

-40 °C to 105 °C
工作电压

1.8 V
引线球表面

Sn/Ag/Cu
接口带宽

400 MByte/s
接口

Octal
接口频率(SDR/DDR) (MHz)

166 / 200
目前计划的可用性至少到

2037
系列

HS-T
认证标准

Automotive

	推荐的
OPN	S28HS256TGZBHB813
产品状态	active and preferred
英飞凌封装名称	PG-BGA-24
封装名	FBGA-24 (002-15550)
包装尺寸	2500
包装类型	TAPE & REEL
湿度	3
防潮包装	DRY
无铅	Yes
无卤素	Yes
符合RoHS标准	Yes
Infineon stock last updated:

产品状态	Active
英飞凌封装名称	PG-BGA-24
封装名	FBGA-24 (002-15550)
包装尺寸	2500
包装类型	TAPE & REEL
湿度	3
防潮包装	DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准

S28HS256TGZBHB813是一款256 Mb SEMPER™ NOR闪存，采用八路接口，基于Infineon 45 nm MIRRORBIT™技术。支持SDR（最高166 MBps）和DDR（最高400 MBps）模式，工作电压1.8 V，具备4 KB与256 KB混合扇区架构。主要安全特性包括ISO 26262 ASIL B/D认证、Endurance Flex耐久/保持可调和ECC。通过AEC-Q100 Grade 2（-40°C至+105°C）认证，集成多重保护和安全OTP，24球BGA封装适用严苛环境。

特性

45 nm MIRRORBIT™技术，单元2位
均匀或混合扇区架构
256/512字节页编程缓冲区
1024字节OTP安全硅阵列
Octal和SPI接口，JESD251兼容
SDR至166 MBps，DDR至400 MBps
功能安全：ISO26262 ASIL B/D
内置ECC：纠正1位，检测2位错误
接口和数据完整性CRC
Endurance Flex耐久均衡架构
扇区/块/高级保护方案
供电电压：1.7–2.0 V或2.7–3.6 V

产品优势

高密度可靠数据存储
灵活分区满足设计需求
快速编程与数据吞吐
敏感数据安全存储
兼容标准SPI/Octal系统
高速数据访问适用高端应用
增强安全适合车载/工业
自动ECC保障数据可靠性
错误检测防止数据损坏
均衡耐久延长器件寿命
灵活保护关键数据
宽电压温度范围运行

应用

设计资源

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }

S28HS256TGZBHB813

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