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S29GL032N90TFI030

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S29GL032N90TFI030
S29GL032N90TFI030
数据手册

商品详情

  • 初始访问时间
    90 ns
  • 密度
    32 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度
    -40 °C to 85 °C
  • 工作电压
    3 V
  • 引线球表面
    Matte Tin Plating
  • 接口
    Parallel
  • 接口频率(SDR/DDR) (MHz)
    NA
  • 系列
    GL-N
  • 页面访问时间
    25 ns
OPN
S29GL032N90TFI030
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-TSOP-48
封装名 TSOP-48 (51-85183)
包装尺寸 960
包装类型 TRAY
湿度 N/A
防潮包装 DRY
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-TSOP-48
封装名 TSOP-48 (51-85183)
包装尺寸 960
包装类型 TRAY
湿度 -
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
S29GL032N90TFI030是一款32 Mbit（4 MB）3.0 V页模式闪存，采用110 nm MirrorBit技术，支持16位或8位数据总线和90 ns访问时间。工作电压VCC为2.7 V至3.6 V，VIO为1.65 V至3.6 V，工业级温度范围-40°C至+85°C。具备先进扇区保护、每扇区10万次擦写和20年数据保持能力，采用48引脚TSOP封装，适用于代码存储和嵌入式应用。

特性

  • 3 V单电源供电
  • 16位数据总线，字节/字可选
  • 8字/16字节页读缓存
  • 16字/32字节写入缓存
  • 解锁旁路模式加快编程
  • WP#/ACC引脚加速编程
  • 高级扇区保护：持久/密码
  • 安全硅区存储代码/数据
  • 每扇区10万次擦写
  • 20年数据保存
  • 低功耗：1 µA待机，1 mA页读
  • 兼容JEDEC和CFI命令集

产品优势

  • 单3 V电源简化设计
  • 8/16位系统灵活接口
  • 页读缓存提升随机访问速度
  • 快速多字写入减少停机
  • 编程更快提升效率
  • 高安全性保护代码/数据
  • 多重保护模式防止数据丢失
  • 高耐久与数据保存更可靠
  • 低功耗延长电池/系统寿命
  • 兼容标准便于集成

应用

文档

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