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S29GL064N90FFI010

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S29GL064N90FFI010
S29GL064N90FFI010
数据手册

商品详情

  • 初始访问时间
    90 ns
  • 密度
    64 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度
    -40 °C to 85 °C
  • 工作电压
    3 V
  • 引线球表面
    N/A
  • 接口
    Parallel
  • 接口频率(SDR/DDR) (MHz)
    NA
  • 系列
    GL-N
  • 页面访问时间
    25 ns
OPN
S29GL064N90FFI010
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-LFBGA-64
封装名 FBGA-64 (002-15536)
包装尺寸 900
包装类型 TRAY
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-LFBGA-64
封装名 FBGA-64 (002-15536)
包装尺寸 900
包装类型 TRAY
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
S29GL064N90FFI010是一款64 Mbit页模式Flash存储器，采用110 nm MirrorBit技术制造，单3.0 V电源操作，访问时间为90 ns。具备均匀扇区架构、先进扇区保护，支持x8和x16数据总线配置。工作电压为2.7 V至3.6 V（VCC），1.65 V至3.6 V（VIO），在-40°C至85°C范围内可靠运行。典型应用包括工业和汽车系统代码存储。

特性

  • 3 V单电源供电
  • 16位数据总线，字节/字可选
  • 8字/16字节页读缓存
  • 16字/32字节写入缓存
  • 解锁旁路模式加快编程
  • WP#/ACC引脚加速编程
  • 高级扇区保护：持久/密码
  • 安全硅区存储代码/数据
  • 每扇区10万次擦写
  • 20年数据保存
  • 低功耗：1 µA待机，1 mA页读
  • 兼容JEDEC和CFI命令集

产品优势

  • 单3 V电源简化设计
  • 8/16位系统灵活接口
  • 页读缓存提升随机访问速度
  • 快速多字写入减少停机
  • 编程更快提升效率
  • 高安全性保护代码/数据
  • 多重保护模式防止数据丢失
  • 高耐久与数据保存更可靠
  • 低功耗延长电池/系统寿命
  • 兼容标准便于集成

应用

文档

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