现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

S29GL064S70TFI040

数据手册
封装
软件
每件.
有存货

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

S29GL064S70TFI040
S29GL064S70TFI040
每件.
数据手册

商品详情

  • 初始访问时间
    70 ns
  • 密度
    64 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度
    -40 °C to 85 °C
  • 工作电压
    3 V
  • 引线球表面
    Matte Tin Plating
  • 接口
    Parallel
  • 接口频率(SDR/DDR) (MHz)
    NA
  • 目前计划的可用性至少到
    2035
  • 系列
    GL-S
  • 认证标准
    Industrial
  • 页面访问时间
    15 ns
推荐的
OPN
S29GL064S70TFI040
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TSOP-48
封装名 TSOP-48 (51-85183)
包装尺寸 960
包装类型 TRAY
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TSOP-48
封装名 TSOP-48 (51-85183)
包装尺寸 960
包装类型 TRAY
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
S29GL064S70TFI040是一款64 Mb（8 MB）并行NOR闪存，采用65 nm MIRRORBIT™技术，70 ns访问时间，单电源2.7 V至3.6 V工作。支持1.65 V至VCC的灵活I/O电压，统一或引导扇区结构，高级扇区保护，ECC数据完整性，128字写入缓冲区，每扇区10万次擦写，适用于工业和汽车等高可靠性代码存储。

特性

  • 3.0 V单电源操作
  • 65 nm MIRRORBIT™工艺
  • 16位或8/16位数据总线
  • 70 ns访问, 15 ns页读
  • 8字/16字节页读缓冲
  • 128字/256字节写缓冲
  • 内部ECC单比特纠错
  • 高级扇区保护(持久/密码)
  • 每扇区10万次擦写
  • 典型20年数据保持
  • 自动休眠与待机模式
  • JEDEC CFI和命令兼容

产品优势

  • 3.0 V简化电源设计
  • 65 nm工艺提升可靠性
  • 灵活总线兼容多平台
  • 快速访问提升性能
  • 页缓冲加快数据读取
  • 写缓冲提升编程速度
  • ECC提升数据完整性
  • 多级保护增强安全
  • 高耐久降低维护成本
  • 长期保存保障数据
  • 低功耗延长电池寿命
  • JEDEC兼容便于集成

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }