S29GL256P90FFIR10

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商品详情


OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
S29GL256P90FFIR10是一款256 Mbit、3.0 V页模式闪存，采用90 nm MirrorBit技术，随机访问时间90 ns，具备均匀128 Kbyte扇区。支持单3 V读写擦除、1.65 V至VCC的VersatileIO控制和32字写缓冲加速编程。高级扇区保护、20年数据保存和每扇区10万次擦写，适用于汽车、工业和网络应用。

特性

  • 90 nm MirrorBit工艺技术
  • 单3 V读/编程/擦除操作
  • VersatileIO控制(1.65 V至VCC I/O)
  • 32字/64字节写缓冲区
  • 8字/16字节页读缓冲区
  • 统一64 K字/128 K字节扇区
  • 128字/256字节安全硅区
  • 高级扇区保护方法
  • 编程/擦除挂起与恢复
  • 硬件数据保护(WP#/ACC, VCC)
  • 写脉冲毛刺保护
  • 每扇区10万次擦除(典型)

产品优势

  • 高密度满足嵌入式存储需求
  • 低电压降低功耗
  • 灵活I/O便于系统集成
  • 写缓冲区加快编程
  • 页读缓冲区提升访问速度
  • 简化内存管理
  • 安全区用于永久ID
  • 防止数据意外更改
  • 挂起/恢复提升系统效率
  • 硬件保护防止数据丢失
  • 毛刺保护确保数据完整
  • 高耐久性延长寿命

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区