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符合RoHS标准
无铅

S29GL512S11FHB023

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封装
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S29GL512S11FHB023
S29GL512S11FHB023
数据手册

商品详情

  • 初始访问时间
    110 ns
  • 密度
    512 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度
    -40 °C to 105 °C
  • 工作电压
    3 V
  • 引线球表面
    Sn/Ag/Cu
  • 接口
    Parallel
  • 接口频率(SDR/DDR) (MHz)
    NA
  • 目前计划的可用性至少到
    2035
  • 系列
    GL-S
  • 认证标准
    Automotive
  • 页面访问时间
    15 ns
推荐的
OPN
S29GL512S11FHB023
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-LFBGA-64
封装名 FBGA-64 (002-15536)
包装尺寸 1600
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-LFBGA-64
封装名 FBGA-64 (002-15536)
包装尺寸 1600
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
S29GL512S11FHB023是一款512 Mb、3.0 V并行NOR闪存，采用65 nm MIRRORBIT™ Eclipse工艺和16位数据总线。支持最快110 ns随机访问和25 ns页模式访问，配备512字节编程缓冲区实现高速写入。工作电压2.7 V至3.6 V，I/O电压1.65 V起。具备高级扇区保护、单比特纠错ECC和10万次擦写寿命，通过AEC-Q100 Grade 2车规认证，适用于高可靠性汽车和嵌入式应用。

特性

  • 65 nm MIRRORBIT™ Eclipse工艺
  • CMOS 3.0 V内核，灵活I/O
  • 单电源读/写/擦除（2.7 V至3.6 V）
  • I/O电压范围1.65 V至VCC
  • 16位数据总线
  • 异步32字节页读
  • 512字节编程缓冲区
  • 内部ECC单比特纠错
  • 统一128 KB扇区
  • 支持编程/擦除中断
  • 高级扇区保护（ASP）
  • 1024字节一次性编程区

产品优势

  • 65 nm工艺提升可靠性
  • 灵活I/O便于系统集成
  • 电源设计简便
  • 支持宽I/O电压
  • 16位总线加快传输
  • 页读提升访问速度
  • 大缓冲区加快编程
  • ECC提升数据完整性
  • 扇区管理简单
  • 可中断编程/擦除
  • 数据与扇区保护强
  • OTP区保障永久数据

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }