S70FL01GSAGMFV011
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

S70FL01GSAGMFV011

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S70FL01GSAGMFV011
S70FL01GSAGMFV011
数据手册


商品详情

  • 密度
    1 GBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 105 °C
  • 工作电压 范围
    2.7 V 至 3.6 V
  • 工作电压
    3 V
  • 引线球表面
    Matte Tin Plating
  • 接口带宽
    52 MByte/s
  • 接口
    Quad SPI
  • 接口频率(SDR/DDR) (MHz)
    133 / -
  • 目前计划的可用性至少到
    2035
  • 系列
    FL-S
  • 质量等级
    Industrial

推荐的
OPN
S70FL01GSAGMFV011
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-DSO-16
封装名 SOIC-16 (002-15547)
封装尺寸 235
封装类型 TUBE
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
预估长期供货截止日期 2035
产品发布日期 03/2022
封装产地
TW
晶圆产地
CN,US

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-DSO-16
封装名 SOIC-16 (002-15547)
封装尺寸 235
封装类型 TUBE
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
预估长期供货截止日期 2035
产品发布日期 03/2022
封装产地
TW
晶圆产地
CN,US
S70FL01GSAGMFV011是一款1 Gbit（128 Mbyte）车规级SPI NOR闪存，采用S25FL512S双芯片堆叠，3.0 V核心电压，支持133 MHz时钟。具备统一256 kB扇区、512字节页编程、块保护及OTP阵列等安全特性。支持多种SPI模式，包括Quad和DDR，保证10万次擦写和20年数据保存。通过AEC-Q100 Grade 1（−40°C至+125°C）认证。

特性

  • 双芯片堆叠架构
  • SPI多I/O接口
  • 支持DDR和SDR模式
  • 32位扩展寻址
  • 512字节页编程缓冲区
  • 均匀256 KB扇区
  • 最少10万次擦写寿命
  • 最少20年数据保持
  • 2048字节OTP区
  • 块保护与高级扇区保护
  • 核心电压2.7-3.6 V
  • I/O电压1.65-3.6 V

产品优势

  • 实现1 Gbit高密度存储
  • 灵活接口适配多种控制器
  • DDR实现高速传输
  • 大容量寻址空间
  • 快速编程提升效率
  • 简化内存管理
  • 频繁擦写依然可靠
  • 长期数据安全
  • 保护敏感数据
  • 防止误操作擦写
  • 兼容3 V系统
  • 灵活I/O便于集成

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区