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符合RoHS标准
无铅

S70GL02GT12FHIV10

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封装
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S70GL02GT12FHIV10
S70GL02GT12FHIV10
数据手册

商品详情

  • 初始访问时间
    120 ns
  • 密度
    2 GBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度
    -40 °C to 105 °C
  • 工作电压
    3 V
  • 引线球表面
    Sn/Ag/Cu
  • 接口
    Parallel
  • 接口频率(SDR/DDR) (MHz)
    NA
  • 目前计划的可用性至少到
    2035
  • 系列
    GL-T
  • 认证标准
    Industrial
推荐的
OPN
S70GL02GT12FHIV10
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-LFBGA-64
封装名 FBGA-64 (002-13243)
包装尺寸 180
包装类型 TRAY
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-LFBGA-64
封装名 FBGA-64 (002-13243)
包装尺寸 180
包装类型 TRAY
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
S70GL02GT12FHIV10是一款2 Gb（256 MB）并行NOR闪存，采用45 nm MIRRORBIT™技术和双芯片堆叠结构。其工作电压为3.0 V（2.7 V至3.6 V），I/O电压1.65 V至VCC，支持×8/×16数据总线。具备120 ns随机访问、20 ns页访问、512字节编程缓冲区和2048个均匀128 KB扇区。每扇区支持10万次擦写，1K循环下数据保持20年，工作温度–40°C至+105°C。高级扇区保护和AEC-Q100 Grade 2认证适用于严苛嵌入式及汽车系统。

特性

  • 45 nm MIRRORBIT™工艺技术
  • 并行3.0 V内核与多样I/O
  • 支持×8和×16数据总线
  • 16字/32字节页读缓冲
  • 512字节编程缓冲区
  • 统一128 KB扇区，2048个扇区
  • 支持编程/擦除挂起与恢复
  • 高级扇区保护(ASP)
  • WP#输入保护最后扇区
  • 20 ns页访问，110 ns随机访问
  • 每扇区10万次擦写
  • 1K循环下20年数据保持

产品优势

  • 高密度适合嵌入式应用
  • 快速编程提升系统速度
  • 灵活I/O兼容性强
  • 大扇区高效管理数据
  • 高级保护确保数据安全
  • 状态监控简化设计
  • 长寿命减少维护
  • 低功耗延长电池寿命
  • 快速访问提升性能
  • 关键代码扇区安全
  • 温度下性能稳定
  • 长期数据可靠

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }