S70KL1283DPBHI020
现货，推荐
符合RoHS标准

S70KL1283DPBHI020

数据手册
封装

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

S70KL1283DPBHI020
S70KL1283DPBHI020
数据手册

商品详情

  • 初始访问时间
    36 ns
  • 密度
    128 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 范围
    2.7 V 至 3.6 V
  • 工作电压
    3 V
  • 引线球表面
    N/A
  • 技术
    HYPERRAM
  • 接口带宽
    333 MByte/s
  • 接口
    xSPI (Octal)
  • 接口频率(SDR/DDR) (MHz)
    - / 166
  • 目前计划的可用性至少到
    See roadmap
  • 系列
    KL-3
  • 认证标准
    Industrial
推荐的
OPN
S70KL1283DPBHI020
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-BGA-24
封装名 BGA-24 (002-15550)
封装尺寸 3380
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-BGA-24
封装名 BGA-24 (002-15550)
封装尺寸 3380
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
S70KL1283DPBHI020是一款128 Mb HYPERRAM™自刷新DRAM（PSRAM），用于通过八线xSPI DDR接口与RWDS选通实现外部存储扩展。支持166 MHz时钟，数据在时钟双沿传输。VCC/VCCQ供电2.7 V至3.6 V，工业级温度–40°C至+85°C，采用24球FBGA（5×5，1.00 mm间距）。支持Deep Power Down与Hybrid Sleep。

特性

  • 八线xSPI接口
  • VCC/VCCQ 1.7-2.0 V
  • VCC/VCCQ 2.7-3.6 V
  • 最高200 MHz时钟
  • DDR双沿传输
  • 吞吐量高达400 MBps
  • 8位数据总线DQ[7:0]
  • RWDS选通+写掩码
  • 可选差分时钟CK/CK#
  • 可选DCARS读选通
  • 线性与回绕突发
  • Hybrid Sleep与Deep Power Down

产品优势

  • 八线DDR提升系统带宽
  • 400 MBps支持高速帧缓存
  • 200 MHz适配高速控制器
  • 8位总线简化布线
  • RWDS降低DDR时序难度
  • DCARS提升读取眼图裕量
  • 回绕突发降低访问延迟
  • 突发模式适配缓存或流
  • 休眠/DPD降低待机功耗
  • 部分刷新降低空闲功耗
  • 双电压适配1.8/3.0 V电源
  • RESET#加速故障恢复
文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区