S80KS2562GABHA023

数据手册

封装

S80KS2562GABHA023

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商品详情

初始访问时间

35 ns
密度

256 MBit
峰值回流温度

260 °C
工作温度范围

-40 °C 至 85 °C
工作电压范围

1.7 V 至 2 V
工作电压

1.8 V
引线球表面

Sn/Ag/Cu
技术

HYPERRAM
接口带宽

400 MByte/s
接口

HYPERBUS
接口频率(SDR/DDR) (MHz)

- / 200
目前计划的可用性至少到

See roadmap
系列

KS-2
认证标准

Automotive

	推荐的
OPN	S80KS2562GABHA023
产品状态	active and preferred
英飞凌封装名称	PG-BGA-24
封装名	FBGA-24 (002-15550)
包装尺寸	2500
包装类型	TAPE & REEL
湿度	3
防潮包装	DRY
无铅	Yes
无卤素	Yes
符合RoHS标准	Yes
Infineon stock last updated:

产品状态	Active
英飞凌封装名称	PG-BGA-24
封装名	FBGA-24 (002-15550)
包装尺寸	2500
包装类型	TAPE & REEL
湿度	3
防潮包装	DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准

S80KS2562GABHA023是一款256 Mb HYPERRAM自刷新DRAM，带1.8 V HYPERBUS接口（DDR，8位DQ，含RWDS、CS#与RESET#）。最高200 MHz（400 MBps），最大访问时间35 ns，并支持可配置突发（线性或16/32/64/128 B环绕）。AEC-Q100 Grade 3（-40°C至85°C）汽车级，24球1.00 mm间距FBGA；VCC 1.7 V至2.0 V，105°C深度掉电电流最高15 µA。

特性

HYPERBUSa0接口, CS#, RESET#
8a0位DQ[7:0]a0数据总线
RWDSa0选通+a0写数据屏蔽
DDRa0双沿传输
200a0MHz,a0tACCa035a0ns
吞吐达400a0MBps
突发: 线性/环绕16-128 B
可配置输出驱动强度
自刷新+a0部分阵列刷新
待机时忽略除CS#/RST外IO
混合睡眠保留数据,a0a03a0b5s
深度掉电停止刷新

产品优势

便于MCU/FPGAa0扩展RAM
8a0位总线降低布线复杂度
RWDS简化时序与写屏蔽
DDR提升每引脚带宽
200a0MHz/35a0ns降低延迟
400a0MBps支持高速图形
突发模式提升总线效率
驱动可调改善信号完整性
部分刷新降低待机功耗
待机减少空闲总线翻转
混合睡眠省电且保留数据
DPD将电流降至b5A级

应用

设计资源

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }

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