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符合RoHS标准
无铅

S80KS2564GACHA040

数据手册
封装

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S80KS2564GACHA040
S80KS2564GACHA040
数据手册

商品详情

  • 密度
    256 MBit
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 范围
    1.7 V 至 2 V
  • 工作电压
    1.8 V
  • 引线球表面
    Sn/Ag/Cu
  • 接口
    HYPERBUS x16
  • 接口频率(SDR/DDR) (MHz)
    - / 200
  • 目前计划的可用性至少到
    See roadmap
  • 系列
    KS-4
  • 认证标准
    Automotive
推荐的
OPN
S80KS2564GACHA040
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-BGA-49
封装名 FBGA-49 (002-32552)
包装尺寸 260
包装类型 TRAY
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-BGA-49
封装名 FBGA-49 (002-32552)
包装尺寸 260
包装类型 TRAY
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
S80KS2564GACHA040是一款256 Mb HYPERRAM™自刷新DRAM（PSRAM），用于汽车ECU的高带宽代码/数据扩展。采用1.7 V至2.0 V的HYPERBUS™ extended-IO x16 DDR接口，带RWDS选通信号和RESET#。支持最高200 MHz时钟、最高800 MBps吞吐量、最大访问时间35 ns，提供49球FBGA，AEC-Q100 Grade 3（-40°C至+85°C）。

特性

  • HYPERBUS16IO接口
  • 16DQ[15:0]
  • DDR
  • 6200 MHz666
  • 66800 MBps6
  • tACC635 ns6
  • VCC/VCCQ61.72.0 V6
  • 61.55 b5A6
  • 6
  • 6
  • 6(1/81/2)
  • 6

产品优势

  • x16 DDR
  • 35 ns
  • 1.8 VSoC
  • 800 MBps
  • 6
  • 6
  • b5A
  • 6
  • 6
  • 6
  • RWDS
  • RESET#6

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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