现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

S80KS2564GACHI040

256MBit 1.8 V 工业级 (85°C) HyperBus x16 HYPERRAM Gen 3.0，49 FBGA 封装
数据手册
封装
每件.
有存货

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

S80KS2564GACHI040
S80KS2564GACHI040
每件.
数据手册

商品详情

  • 密度
    256 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 范围
    1.7 V 至 2 V
  • 工作电压
    1.8 V
  • 引线球表面
    Sn/Ag/Cu
  • 技术
    HYPERRAM
  • 接口
    HYPERBUS x16
  • 接口频率(SDR/DDR) (MHz)
    - / 200
  • 目前计划的可用性至少到
    See roadmap
  • 系列
    KS-4
  • 认证标准
    Industrial
推荐的
OPN
S80KS2564GACHI040
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-BGA-49
封装名 FBGA-49 (002-32552)
包装尺寸 260
包装类型 TRAY
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-BGA-49
封装名 FBGA-49 (002-32552)
包装尺寸 260
包装类型 TRAY
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
S80KS2564GACHI040是一款256 Mb HYPERRAM自刷新DRAM（PSRAM），采用1.8 V（1.7 V至2.0 V）HYPERBUS extended-IO x16接口。支持最高200 MHz DDR，吞吐量达800 MBps，最大访问时间35 ns。49球FBGA封装，工业级（-40b0C至85b0C）器件支持部分阵列刷新、混合休眠和深度掉电模式，以降低待机功耗。

特性

  • HYPERBUS扩展IO x16总线
  • DDR双沿数据传输
  • 最高200 MHz时钟
  • 吞吐量最高800 MBps
  • 最大访问时间tACC 35 ns
  • 可选差分时钟CK/CK#
  • RWDS作选通和写掩码
  • 线性或环绕突发可配
  • VCC/VCCQ 1.7 V至2.0 V
  • 混合睡眠保持数据
  • 深度掉电停止刷新
  • ESD: HBM 2 kV, CDM 500 V

产品优势

  • x16 DDR提升每引脚带宽
  • 800 MBps支持高速帧缓存
  • tACC 35 ns降低读延迟
  • 差分时钟提升抗噪裕量
  • RWDS简化时序与写屏蔽
  • 突发模式优化主机访问
  • 1.8 V供电适配主流MCU
  • 混合睡眠省电且保留数据
  • 深度掉电闲置时功耗最低
  • ESD指标提高生产良率
  • 过冲规格提升SI裕量
  • 停钟状态降低接口电流

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }