SLE 66R35

智能1kByte存储芯片

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SLE 66R35
SLE 66R35

商品详情

  • EEPROM (user)
    768 Byte
  • EEPROM (admin)
    256 Byte
  • 交付表单
    sawn wafer, MCC2, MCC8, NiAu-bump
  • 产品说明
    (E7/H) = Supporting 7-byte UID, (I) = Supporting 4-byte fixed number,non-unique ID, (R) = Supporting 4-byte reused ID, Intelligent 1kByte EEPROM
  • 保留时间 min
    10 year
  • 加密特性
    mutual three pass authentication with 48-bit keys, transport key
  • 存储器
    16 fixed sectors
  • 封装
    MCC2, MCC8
  • 工具
    evaluation kit contactless
  • 应用
    transport ticketing, access management
  • 接口
    ISO/IEC 14443-3 Type A
  • 数据速率
    106kbit/s to card, 106kbit/s to reader
  • 耐力
    100000
  • 距离(读/写)
    typically up to 10cm and above
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
包装尺寸
包装类型
湿度
防潮包装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:
SLE 66R35I 4 字节固定非唯一编号 (FNUID)SLE 66R35R 4 字节固定重用识别号 (r-ID)SLE 66R35E7 7 字节唯一识别号 (UID)

特性

  • 物理接口和防冲突符合 ISO/IEC 14443-2 和 -3 A 类标准
  • – 工作频率 13.56 MHz;数据速率 106 kbit/s– 非接触式传输数据和供电– 防冲突逻辑:可同时在现场操作多张卡
  • 读写距离可达 10 cm 及以上(受外部电路(即读卡器和嵌体设计)影响)
  • 交易时间短:典型的票务交易 <100 ms;卡片移动时也可进行交易
  • 内存分块组织,16 个扇区,每个扇区固定为 4 个块,每个块 16 字节
  • 每个块的 EEPROM 更新时间小于 4 ms
  • 耐用性 >100,000 次擦/写循环(值与温度有关)
  • 数据保留 > 10 年
  • 每个内存块的用户可定义访问条件
  • SLE66R35I:4 字节固定非唯一编号 (FNUID)
  • SLE66R35R:4 字节固定重用身份号 (r-ID),4 字节先前发出的 UID
  • SLE 66R35E7:7 字节唯一识别号 (UID)。支持符合 ISO/IEC 14443-3 A 类标准的 4 字节随机数 (RND-ID) 和 4 字节固定非唯一编号 (FNUID)。
  • 卡片和读卡器之间进行三重身份验证,确保基本安全。
  • – 48 位密钥长度– 每扇区 2 个密钥,支持密钥管理– 芯片交付时传输密钥
  • 通过身份验证和访问条件保护的选择性内存访问
  • 适合多功能应用:每个 EEPROM 扇区都有单独的密钥集。
  • RF 通道的数据加密
  • 专用值计数器
  • CRC、奇偶校验等支持数据完整性。
  • 片上电容 18.3 pF ± 10%
  • ESD 保护典型值 2 kV
  • 芯片环境温度 –25°C-70°C

应用

文档

设计资源

开发者社区

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