SPI15N65C3

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数据手册

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SPI15N65C3
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数据手册


商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    15 A
  • 最高 ID
    15 A
  • 最高 IDpuls
    45 A
  • 最高 Ptot
    156 W
  • QG
    63 nC
  • QG (typ @10V)
    63 nC
  • 最高 RDS (on)
    280 mΩ
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    280 mΩ
  • 最高 RthJC
    0.8 K/W
  • Rth
    0.8 K/W
  • 最高 VDS
    650 V
  • VGS(th) 范围
    2.1 V 至 3.9 V
  • 安装
    THT
  • 封装
    I2PAK (TO-262)
  • 极性
    N

OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
650V CoolMOS ™ C3 是英飞凌的第三系列 CoolMOS ™ ，于 2001 年进入市场。650V CoolMOS ™ C3 的替代品是 CoolMOS ™ P7。

特性

  • 低导通电阻 (RDS(on)*A)
  • 输出电容中极低的能量存储 (Eoss) @400V
  • 低栅极电荷 (Qg)
  • 经过现场验证的 CoolMOS ™质量
  • CoolMOS ™技术自 1998 年起由英飞凌生产

产品优势

  • 高效率和功率密度
  • 出色的性价比
  • 高可靠性
  • 易于使用

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区