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SPI21N50C3
停产
已停产
符合RoHS标准
无铅

SPI21N50C3

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封装
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SPI21N50C3
SPI21N50C3
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数据手册
  • 最高 ID
    21 A
  • 最高 ID (@25°C)
    21 A
  • 最高 IDpuls
    63 A
  • 最高 Ptot
    208 W
  • QG
    95 nC
  • QG (typ @10V)
    95 nC
  • 最高 RDS (on)
    190 mΩ
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    190 mΩ
  • 最高 RthJC
    0.6 K/W
  • Rth
    0.6 K/W
  • 最高 VDS
    500 V
  • VGS(th) 范围
    2.1 V 至 3.9 V
  • VGS(th)
    3 V
  • 安装
    THT
  • 封装
    I2PAK
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 150 °C
  • 极性
    N
  • 预算价格€/1k
    1.41
OPN
SPI21N50C3XKSA1
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-TO262-3
封装名 I2PAK
封装尺寸 500
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
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产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-TO262-3
封装名 I2PAK
封装尺寸 500
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
500V CoolMOS ™ C3 的替代品是 CoolMOS ™ P7。500V CoolMOS ™ C3 是英飞凌的第三系列 CoolMOS ™ ，于 2001 年进入市场。C3 是该投资组合的“主力”。

特性

  • 低电阻 (RDS(on)*A)
  • O/P 中的 Eoss @400V
  • 低栅极电荷 (Qg)
  • 经过现场验证的 CoolMOS ™质量
  • 自 1998 年以来制造的 CoolMOS ™技术

产品优势

  • 更高的开关频率
  • 更高的功率密度
  • 更高的效率
  • MOSFET 适合硬谐振拓扑

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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