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T1930N38TOF VT
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无铅

T1930N38TOF VT

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T1930N38TOF VT
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商品详情

  • ITAVM/TC [A/°C] (@180° el sin)
    2180/85
  • ITAVM
    2180 (180 ° el sin)
  • ITSM [A] (@10ms, Tvj max)
    37000
  • ITSM
    37000 A
  • 最高 rT [mΩ] (@Tvj max)
    0.2
  • 最高 RthJC [K/kW] (@180° el sin)
    8.5
  • tq [µs]
    450
  • 最高 Tvj [°C]
    125
  • VDRM / VRRM [V]
    3800
  • VDRM/ VRRM (V)
    3800 V
  • VT/IT [V/kA] (@Tvj max)
    2.90/8.0
  • 最高 VT0 [V] (@Tvj max)
    1.08
  • ∫I2dt [A²s · 103] (@10ms, Tvj max)
    6850
  • 夹紧力[kn] 范围
    40 至 65
  • 封装
    Disc dia 111mm height 26mm / Ceramic
  • 拓扑结构
    Electrical Triggered Phase Control Thyristor

OPN
T1930N38TOFVTXPSA1
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称 BG-T11126K-1
封装名 N/A
封装尺寸 2
封装类型 TRAY
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
HU
晶圆产地
DE
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产品状态 discontinued
英飞凌封装名称 BG-T11126K-1
封装名 -
封装尺寸 2
封装类型 TRAY
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
HU
晶圆产地
DE
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T1930N 相控晶闸管盘组装在高可靠、坚固且密封的陶瓷外壳中，直径为 111 毫米，高度为 26 毫米。

特性

  • 完全阻断能力 50/60 Hz
  • 高直流阻断稳定性
  • 高浪涌电流能力
  • 高导通 di/dt 能力
  • 高 dv/dt 能力

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区