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T2160N26TOF VT

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商品详情

  • ITAVM/TC [A/°C] (@180° el sin)
    2400/85
  • ITAVM
    2400 (180 ° el sin)
  • ITSM [A] (@10ms, Tvj max)
    40000
  • ITSM
    40000 A
  • rT [mΩ] (@Tvj max) max
    0.154
  • RthJC [K/kW] (@180° el sin) max
    8.5
  • tq [µs]
    400
  • Tvj [°C] max
    125
  • VDRM / VRRM [V]
    2600
  • VDRM/ VRRM (V)
    2600 V
  • VT/IT [V/kA] (@Tvj max)
    2.65/8.8
  • VT0 [V] (@Tvj max) max
    1.05
  • ∫I2dt [A²s · 103] (@10ms, Tvj max)
    8000
  • 夹紧力[kn]
    42 to 95
  • 封装
    Disc dia 111mm height 26mm / Ceramic
  • 配置
    Electrical Triggered Phase Control Thyristor
OPN
T2160N26TOFVTXPSA1
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称 BG-T11126K-1
封装名 N/A
包装尺寸 2
包装类型 TRAY
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态 discontinued
英飞凌封装名称 BG-T11126K-1
封装名 -
包装尺寸 2
包装类型 TRAY
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
T2160N 相控晶闸管盘组装在高可靠、坚固且密封的陶瓷外壳中,直径为 111 毫米,高度为 26 毫米。

特性

  • 完全阻断能力 50/60 Hz
  • 高直流阻断稳定性
  • 高浪涌电流能力
  • 高导通 di/dt 能力
  • 高 dv/dt 能力

应用

文档

设计资源

开发者社区

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