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IGD70R270D2S
商品详情
-
ID (@25°C) max5.8 A
-
IDpuls (@25°C) max13 A
-
QG1 nC
-
RDS (on) (typ)270 mΩ
-
VDS max700 V
-
MountingSMT
-
GenerationG5
|
OPN
|
IGD70R270D2SAUMA1 | |
|---|---|---|
| 产品状态 | on request | |
| 英飞凌封装名称 | PG-TO252-3 | |
| 封装名 | N/A | |
| 包装尺寸 | 2500 | |
| 包装类型 | TAPE & REEL | |
| 湿度 | 3 | |
| 防潮包装 | DRY | |
| 无铅 | No | |
| 无卤素 | Yes | |
| 符合RoHS标准 | Yes | |
|
Infineon stock last updated:
|
||
|
|
||
| 产品状态 | on request |
|---|---|
| 英飞凌封装名称 | PG-TO252-3 |
| 封装名 | - |
| 包装尺寸 | 2500 |
| 包装类型 | TAPE & REEL |
| 湿度 | 3 |
| 防潮包装 | DRY |
| 无铅 | |
| 无卤素 | |
| 符合 RoHS 标准 | |
IGD70R270D2S GaN功率晶体管可提高高频运行时的效率。作为 CoolGaN ™ G5 系列的一部分，它符合最高质量标准，可实现具有卓越效率的高可靠性设计。它采用 DPAK 封装，非常适合具有纤薄外形的消费类应用。
特性
- 700 V e 模式功率晶体管
- 超快切换
- 无反向恢复电荷
- 具有反向传导能力
- 低栅极电荷，低输出电荷
- 卓越的换向坚固性
- 低动态 RDS(on)
- 通过 JEDEC 认证（JESD47、JESD22）
产品优势
- 支持高工作频率
- 实现最高的系统效率
- 实现超高功率密度设计
- 支持节省 BOM 成本