不建议用于新设计
符合RoHS标准

IPZ40N04S5L-7R4

40 V、N沟道、最大7.4 mΩ、汽车MOSFET、S3O8、OptiMOS ™
数据手册
封装
每件.
有存货

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IPZ40N04S5L-7R4
IPZ40N04S5L-7R4
每件.
数据手册

商品详情

  • Country of Assembly (Last BE site, current, subject to change)
    Malaysia
  • Country of Diffusion (Last FE site, current, subject to change)
    Austria, Germany
  • 最高 ID (@25°C)
    40 A
  • 最高 IDpuls
    160 A
  • 最高 Ptot
    34 kW
  • QG (typ @10V)
    13 nC
  • 最高 QG (typ @10V)
    17 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    7.4 mΩ
  • 最高 RthJC
    4.4 K/W
  • 最高 VDS
    40 V
  • VGS(th) 范围
    1.2 V 至 2 V
  • VGS(th)
    1.6 V
  • 封装
    S3O8 (PG-TSDSON-8-32)
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 技术
    OptiMOS™5
  • 拓扑结构
    Boost
  • 推出年份
    2015
  • 极性
    N
  • 目前计划的可用性至少到
    2029
  • 认证标准
    Automotive
  • 预算价格€/1k
    0.23
OPN
IPZ40N04S5L7R4ATMA1
产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
PG-TSDSON-8
封装名 S3O8
包装尺寸 5000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
PG-TSDSON-8
封装名 S3O8
包装尺寸 5000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货

特性

  • OptiMOS ™功率 MOSFET
  • N沟道增强模式逻辑电平
  • 符合 AEC Q101 要求
  • MSL1 最高回流温度可达 260°C 峰值
  • 工作温度为 175°C
  • 绿色产品（符合 RoHS 标准）
  • 100% Avalanche 测试
  • 支持 PPAP 的设备

文档

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