新一代1200V TRENCHSTOP™ IGBT6为高频应用带来更高能效

2018-06-29

新一代1200V TRENCHSTOP™ IGBT6专门针对开关频率在15kHz以上的硬开关和谐振拓扑而设计，可满足其对更高能效以及更低导通损耗和开关损耗的要求。

1200V TRENCHSTOP™IGBT6发布了2个产品系列：优化导通损耗-S6系列和优化开关损耗-H6系列。1200V TRENCHSTOP™ IGBT6 S6系列集电极-发射极饱和电压VCE(sat)1.85V，导通损耗低，并且拥有与H3系列相同的低开关损耗。1200V TRENCHSTOP™ IGBT6 H6系列则进一步优化开关损耗，相比于上一代H3系列，总开关损耗降低约15%。

超软快恢复反并联二极管经专门优化，可实现快速恢复，同时保持极软恢复特性，保证了卓越的EMI性能。

正温度系数有助于轻松可靠地实现器件并联。优异的Rg可控性可根据应用要求调节IGBT开关速度。

Igbt6 Enables Lower Vce Lower Switching Losses
Igbt6 Enables Lower Vce Lower Switching Losses
Igbt6 Enables Lower Vce Lower Switching Losses

关键特性

  • S6系列VCE(sat)1.85V，导通损耗低
  • 可在开关频率15–40kHz范围内提供开关损耗和导通损耗的最佳折衷
  • 优良的Rg可控性
  • 低电磁干扰
  • 坚固耐用的满电流反并联二极管

主要优势

  • 即插即用可替换上一代H3 IGBT
  • 从H3更换为TO-247-3封装S6，可将系统能效提高0.15%2)
  • 从H3更换为TO-247PLUS 4引脚封装S6，可将系统能效提高0.2%2)

基于3相T型三电平逆变器实测值

3 Phase T Type Three Level Inverter
3 Phase T Type Three Level Inverter
3 Phase T Type Three Level Inverter

TRENCHSTOP™ IGBT6经专门设计，可轻松直接替换上一代的H3 IGBT。基于T型三电平逆变器的内部测试表明，将H3 IGBT更换为新的TO-247-3封装IGBT6 S6后，系统能效可提升0.15%。将TO-247-3封装H3 IGBT更换为TO-247PLUS 4引脚封装IGBT6 S6后，系统能效提升0.20%。

新的1200 V TRENCHSTOP™ IGBT6还包括业内独一无二的、采用TO-247PLUS 3引脚封装和更低开关损耗的TO-247PLUS 4引脚封装、最大电流75A的单管IGBT。

产品目录

Trenchstop Igbt6 Product Catalog
Trenchstop Igbt6 Product Catalog
Trenchstop Igbt6 Product Catalog