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双通道高压 IGBT 驱动板,具有 30 A 的高峰值输出电流、集成 DC-DC、SMPS、故障条件下的软关断、动态过流检测和 IGBT 退饱和监测。请在产品列表中找到我们的驱动板。

  • 高峰值输出电流
  • 集成 DC-DC 开关电源
  • 杰出的保护功能
  • 高电磁兼容性
  • 半桥和直接驱动模式
  • 故障条件下软关断

 

产品

关于

在我们的产品组合中,我们为高达 1700 V 的 IGBT 模块提供了一系列双通道 IGBT 驱动板,具有加强隔离、输出电流源、30 A 灌电流和半桥配置。

EiceDRIVER™ SiC MOSFET 栅极驱动器集成电路具有重要的关键优势,例如坚固的设计、符合 EN 50178/IEC 61800-5-1 标准的强化隔离、在恶劣环境中的可靠运行以及获得专利的模块并联。

在我们的产品组合中,我们为高达 1700 V 的 IGBT 模块提供了一系列双通道 IGBT 驱动板,具有加强隔离、输出电流源、30 A 灌电流和半桥配置。

EiceDRIVER™ SiC MOSFET 栅极驱动器集成电路具有重要的关键优势,例如坚固的设计、符合 EN 50178/IEC 61800-5-1 标准的强化隔离、在恶劣环境中的可靠运行以及获得专利的模块并联。

文档

XDPS2201 是一种多模式、数字可配置的混合反激式控制器,它将传统反激式拓扑的简单性与谐振转换器的性能结合在一起。

什么是栅极驱动器?为什么要使用栅极驱动器?如何使用栅极驱动器?观看我们的介绍视频并成为栅极驱动器专家。

来自市场领导者的 1200 V 绝缘体上硅电平移位栅极驱动器。该视频演示了采用英飞凌 SOI 产品的优势。例如集成自举二极管,低电平转换损耗 - 节省空间和成本。

本次培训深入了解了宽带隙器件的系统优势,这将在功率密度、效率和/或电池续航里程具有决定性作用的领域赢得市场份额。培训重点关注移动充电器和车载充电器两种应用,并将讨论当今解决方案面临的挑战以及 SiC 和 GaN 如何提供更高水平的性能。