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概述

EiceDRIVER™高边栅极驱动器IC包括隔离式栅极驱动器、电平转换栅极驱动器和非隔离式栅极驱动器系列，由于具有真正的差分控制输入， 可用作高边驱动器。我们提供单通道和双通道电气隔离栅极驱动器 IC。有些包括高级保护功能，例如DESAT和有源米勒钳位，有些则具有UL和VDE认证。

主要特性
  • DESAT
  • 有源米勒钳位
  • 过流保护
  • UVLO 阈值选项

产品

关于

高边栅极驱动器介绍

我们提供多种 UVLO 阈值选项，以适合 OptiMOS™ 功率 MOSFET、CoolMOS™ 超结 MOSFET、CoolSiC™ MOSFET 和 CoolGaN™ HEMT。我们还提供具有过流保护功能的单通道电平转换高边栅极驱动器 IC，非常适合降压拓扑。还包括符合汽车标准的高边栅极驱动器 IC。在高压侧电压不超过 100 V 的情况下，非隔离 TDI 栅极驱动器系列不失为一种有吸引力的选择，例如在某些buck-boost电路、电池供电的电机驱动应用以及半桥或全桥同步整流电路中。

高边栅极驱动器产品组合

英飞凌和国际整流器公司凭借数十年的应用专长和技术开发，推出了一系列栅极驱动器集成电路，可用于硅和宽禁带功率器件，如 MOSFET、分立式 IGBT、IGBT 模块、SiC MOSFET 和 GaN HEMT。我们提供优秀的产品系列，包括电隔离栅极驱动器、汽车级栅极驱动器、200 V、500-700 V、1200 V 电平转换栅极驱动器以及非隔离低端驱动器。

有关高边栅极驱动器的更多信息

我们的产品组合涵盖各种配置、电压等级、隔离级别、保护功能和封装选项。最先进的分立开关系列需要调整栅极驱动电路，以充分利用其容量和功能。无论是分立式还是功率模块，最佳的栅极驱动配置对于所有电源开关都至关重要。

高边栅极驱动器介绍

我们提供多种 UVLO 阈值选项，以适合 OptiMOS™ 功率 MOSFET、CoolMOS™ 超结 MOSFET、CoolSiC™ MOSFET 和 CoolGaN™ HEMT。我们还提供具有过流保护功能的单通道电平转换高边栅极驱动器 IC，非常适合降压拓扑。还包括符合汽车标准的高边栅极驱动器 IC。在高压侧电压不超过 100 V 的情况下，非隔离 TDI 栅极驱动器系列不失为一种有吸引力的选择，例如在某些buck-boost电路、电池供电的电机驱动应用以及半桥或全桥同步整流电路中。

高边栅极驱动器产品组合

英飞凌和国际整流器公司凭借数十年的应用专长和技术开发，推出了一系列栅极驱动器集成电路，可用于硅和宽禁带功率器件，如 MOSFET、分立式 IGBT、IGBT 模块、SiC MOSFET 和 GaN HEMT。我们提供优秀的产品系列，包括电隔离栅极驱动器、汽车级栅极驱动器、200 V、500-700 V、1200 V 电平转换栅极驱动器以及非隔离低端驱动器。

有关高边栅极驱动器的更多信息

我们的产品组合涵盖各种配置、电压等级、隔离级别、保护功能和封装选项。最先进的分立开关系列需要调整栅极驱动电路，以充分利用其容量和功能。无论是分立式还是功率模块，最佳的栅极驱动配置对于所有电源开关都至关重要。

文档

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新闻与亮点

具有高级保护功能的电流隔离栅极驱动器

XDPS2201 是一种多模式、数字可配置的混合反激式控制器，它将传统反激式拓扑的简单性与谐振转换器的性能结合在一起。

栅极驱动器解决方案 - 为什么英飞凌是最佳合作伙伴

本次培训深入了解了宽带隙器件的系统优势，这将在功率密度、效率和/或电池续航里程具有决定性作用的领域赢得市场份额。培训重点关注移动充电器和车载充电器两种应用，并将讨论当今解决方案面临的挑战以及 SiC 和 GaN 如何提供更高水平的性能。

英飞凌SOI栅极驱动器技术的优势

来自市场领导者的 1200 V 绝缘体上硅电平移位栅极驱动器。该视频演示了采用英飞凌 SOI 产品的优势。例如集成自举二极管，低电平转换损耗 - 节省空间和成本。

英飞凌栅极驱动器简介

什么是栅极驱动器？为什么要使用栅极驱动器？如何使用栅极驱动器？观看我们的介绍视频并成为栅极驱动器专家。