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传统非隔离栅极驱动器 IC 的输入信号电平以栅极驱动器 IC 的地电位为基准。如果栅极驱动器 IC 的地电位在应用中发生过度偏移,则可能导致栅极驱动器 IC 的误触发。英飞凌具有真正差分输入的单通道非隔离 EiceDRIVER™ 栅极驱动器 IC 可帮助您克服设计中的接地偏移挑战。

  • 可配置的共模稳健性
  • 独立的低阻抗输出
  • +10 ns/-7 ns 传播延迟
  • 4 V/8 V UVLO 选项
  • 4 A/8 A 拉/灌电流
  • 紧凑型封装

产品

关于

1EDNx550 非隔离式栅极驱动器 IC 采用小型 6 引脚 SOT-23 和 TSNP 封装。其真正差分输入可实现具有极高功率密度的高性价比解决方案。与其他栅极驱动器 IC 不同,1EDNx550 系列的工作在很大程度上可独立于栅极驱动器 GND。只有两个控制输入之间的电压差才能决定栅极驱动器输出的状态。1EDNx550 系列消除了误触发的风险,非常适合控制 IC 和栅极驱动器 IC 之间容易出现较大 GND 偏移的应用设计,如采用开尔文源 MOSFET 的 PFC。

1EDNx550x 栅极驱动器 IC 具备真正差分输入。它们的控制信号输入在很大程度上独立于地电位。只有两个输入触点之间的电压差才能决定其输出是“开”还是“关”。这便非常优雅、稳健地防止了功率 MOSFET 的误触发,消除了功率 MOSFET 的电气过应力(EOS)。产品采用小型 6 引脚 SOT 封装和超小型 TSNP 封装。

栅极驱动器 IC 所在位置与控制 IC 所在位置之间的寄生接地电感可能会导致栅极驱动器的接地偏移。如果应用的两个 IC 之间的距离相对较长,则很容易出现这种情况。其中一个根本原因可能是使用了单层或双层 PCB 材料,而不是多层 PCB。另一个根本原因可能是工业设计上的要求或是需要将控制 IC 装在子卡上。

栅极驱动器出现接地偏移的第二个原因可能是栅极驱动器 IC 与其驱动的 MOSFET 之间产生的寄生源极电感。这在 PFC 和同步整流级等硬开关应用中尤为重要。

1EDN 系列真正的多样化输入可用于各种应用,如采用开尔文源 MOSFET 的升压 PFC、交错式 PFC 和全桥同步整流器。此外,它还可用于 48 V 转 12 V 中间总线转换器、降压-升压转换器以及中低压半桥应用。

1EDNx550 非隔离式栅极驱动器 IC 采用小型 6 引脚 SOT-23 和 TSNP 封装。其真正差分输入可实现具有极高功率密度的高性价比解决方案。与其他栅极驱动器 IC 不同,1EDNx550 系列的工作在很大程度上可独立于栅极驱动器 GND。只有两个控制输入之间的电压差才能决定栅极驱动器输出的状态。1EDNx550 系列消除了误触发的风险,非常适合控制 IC 和栅极驱动器 IC 之间容易出现较大 GND 偏移的应用设计,如采用开尔文源 MOSFET 的 PFC。

1EDNx550x 栅极驱动器 IC 具备真正差分输入。它们的控制信号输入在很大程度上独立于地电位。只有两个输入触点之间的电压差才能决定其输出是“开”还是“关”。这便非常优雅、稳健地防止了功率 MOSFET 的误触发,消除了功率 MOSFET 的电气过应力(EOS)。产品采用小型 6 引脚 SOT 封装和超小型 TSNP 封装。

栅极驱动器 IC 所在位置与控制 IC 所在位置之间的寄生接地电感可能会导致栅极驱动器的接地偏移。如果应用的两个 IC 之间的距离相对较长,则很容易出现这种情况。其中一个根本原因可能是使用了单层或双层 PCB 材料,而不是多层 PCB。另一个根本原因可能是工业设计上的要求或是需要将控制 IC 装在子卡上。

栅极驱动器出现接地偏移的第二个原因可能是栅极驱动器 IC 与其驱动的 MOSFET 之间产生的寄生源极电感。这在 PFC 和同步整流级等硬开关应用中尤为重要。

1EDN 系列真正的多样化输入可用于各种应用,如采用开尔文源 MOSFET 的升压 PFC、交错式 PFC 和全桥同步整流器。此外,它还可用于 48 V 转 12 V 中间总线转换器、降压-升压转换器以及中低压半桥应用。

文档

为了克服设计中的地移挑战,英飞凌提供了具有真正差分输入的单通道非隔离式EiceDRIVER™栅极驱动器 IC。 我们的专家解释了这个概念并概述了演示板。

该评估套件为英飞凌的1通道低侧4/8A栅极驱动器IC提供了测试平台。1EDN——坚固性和低功耗的新参考。

1EDN7550U 是一款非隔离栅极驱动器 IC,采用超小型 TSNP 封装。其真正差分输入可实现具有极高功率密度的高性价比解决方案。

采用 4 针CoolMOS™设计的 PFC 升压使用具有真正差分输入的非隔离 MOSFET 栅极驱动器。 与现有的隔离栅极驱动器解决方案相比,其优势显而易见。