EVAL-1ED3321MC12N
现货，推荐

EVAL-1ED3321MC12N

EiceDRIVER ™ F3 评估板，增强型短路保护
User manual

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EVAL-1ED3321MC12N
EVAL-1ED3321MC12N
User manual


产品详情

  • 产品名称
    EVAL-1ED3321MC12N
  • 拓扑
    Half Bridge
  • 更广阔的董事会
    Yes
  • 系列
    Gate Driver
  • 质量等级
    Industrial
  • 输入类型
    DC

推荐的
OPN
EVAL1ED3321MC12NTOBO1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称 N/A
封装名 N/A
封装尺寸 1
封装类型 CONTAINER
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
封装产地
CN
晶圆产地
CN

产品状态
Active
英飞凌封装名称 N/A
封装名 -
封装尺寸 1
封装类型 CONTAINER
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
CN
晶圆产地
CN
EVAL-1ED3321MC12N 设计有用于 IGBT、SiC 和 Si MOSFET 的短路保护栅极驱动器 IC（1ED3321MC12N），并与 TRENCHSTOP ™ IGBT IKW40N120H3 预装。它适用于双脉冲测试，并提供有源米勒钳位、软关断和独立的源/接收器输出。在单极或双极配置下可在很宽的电压范围内工作，确保部件间传播延迟的严格匹配。

特性

  • 单通道隔离栅极驱动器
  • 适用于高达 2300 V 的 Si 和 SiC 开关
  • 电气隔离
  • 带故障输出的精确 DESAT
  • 软关断检测
  • 40 V 绝对最大值。输出电压
  • 85 ns 特性。输入延迟 35 ns
  • 高 CMTI >300 kV/μs
  • 独立的源极和漏极输出
  • 短路钳位
  • 有源米勒钳位
  • 11 V/12 V UVLO 保护

产品优势

  • Single-channel galvanically isolated (coreless transformer) gate driver
  • Pure-PMOS sourcing stage for optimal turn-on efficiency
  • High peak drive strength: +6 A / -8.5 A (typ.)
  • Separate source and sink outputs for independent turn-on/turn-off tuning
  • Integrated protection: DESAT short-circuit, soft-off fault turn-off, active Miller clamp, active shutdown
  • 40 V absolute maximum output supply voltage
  • Fast timing: 85 ns propagation delay (typ.) with tight IC-to-IC matching
  • Very high noise immunity: CMTI > 300 kV/µs
  • DSO-16 wide-body package with 8 mm creepage for PCB/isolation spacing
  • Safety certifications: UL 1577 and reinforced isolation per IEC 60747-17 (VIORM 1767 V)

Bill of Material

文档

设计资源

图表

Diagram-EVAL-1ED3321MC12N
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