现货，推荐

EVAL-1ED3321MC12N

EiceDRIVER ™ F3 评估板，增强型短路保护
用户手册
每件.
有存货

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

EVAL-1ED3321MC12N
EVAL-1ED3321MC12N
每件.
用户手册

商品详情

  • Product Name
    EVAL-1ED3321MC12N
  • Dimensions
    28x85x55
  • Topology
    Half Bridge
  • Family
    Gate Driver
  • Qualification
    Industrial
  • Input Type
    DC
受到推崇的
OPN
EVAL1ED3321MC12NTOBO1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称 --
封装名 N/A
包装尺寸 1
包装类型 CONTAINER
湿度 N/A
防潮包装 DRY
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称 --
封装名 -
包装尺寸 1
包装类型 CONTAINER
湿度 -
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
EVAL-1ED3321MC12N 设计有用于 IGBT、SiC 和 Si MOSFET 的短路保护栅极驱动器 IC（1ED3321MC12N），并与 TRENCHSTOP ™ IGBT IKW40N120H3 预装。它适用于双脉冲测试，并提供有源米勒钳位、软关断和独立的源/接收器输出。在单极或双极配置下可在很宽的电压范围内工作，确保部件间传播延迟的严格匹配。

特性

  • 单通道隔离栅极驱动器
  • 适用于高达 2300 V 的 Si 和 SiC 开关
  • 电气隔离
  • 带故障输出的精确 DESAT
  • 软关断检测
  • 40 V 绝对最大值。输出电压
  • 85 ns 特性。输入延迟 35 ns
  • 高 CMTI >300 kV/μs
  • 独立的源极和漏极输出
  • 短路钳位
  • 有源米勒钳位
  • 11 V/12 V UVLO 保护

Bill of Material

文档

文档

设计资源

图表

Diagram-EVAL-1ED3321MC12N
Diagram-EVAL-1ED3321MC12N
Diagram-EVAL-1ED3321MC12N Diagram-EVAL-1ED3321MC12N Diagram-EVAL-1ED3321MC12N
×
modalImg

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "向社区提问" }, { "link" : "https://community.infineon.com/", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "查看所有讨论" } ] }