REF-SIC-D2PAK-MC
不建议用于新设计
符合RoHS标准

REF-SIC-D2PAK-MC

1200 V CoolSiC ™ MOSFET（TO263-7 封装）参考板
User manual
Video

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

REF-SIC-D2PAK-MC
REF-SIC-D2PAK-MC
User manual
  • 主板类型
    Reference Board
  • 产品名称
    REF-SIC-D2PAK-MC
  • 拓扑结构
    Half Bridge
  • 目标应用程序
    GPD, Industrial Drives, Motor Control & Drives
  • 系列
    CoolSiC™ MOSFET
  • 认证标准
    Industrial
  • 输入类型
    DC
OPN
REFSICD2PAKMCTOBO1
产品状态 not for new design
英飞凌封装名称 --
封装名 N/A
封装尺寸 1
封装类型 CONTAINER
湿度 N/A
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态 not for new design
英飞凌封装名称 --
封装名 -
封装尺寸 1
封装类型 CONTAINER
湿度 -
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CoolSiC ™ MOSFET 1200 V 评估平台包括带有集成有源米勒钳位的 EiceDRIVER ™ 1EDC Compact 1EDC20I12MH 和用于双极电源的 EiceDRIVER ™ 1ED Compact 1EDI20H12AH。该平台展示了TO263-7pin碳化硅CoolSiC ™ MOSFET的驱动选项，包括一个设计最大电压为800V、最大脉冲电流为130A的主板。

特性

  • 1200 V CoolSiC ™ MOSFET
  • 带有源米勒钳位的驱动器
  • 无磁芯隔离栅极驱动器
  • 0 V 关断栅极电压
  • 利用 IMS
  • 所有组件均为 SMD

Bill of Material

文档

设计资源

图表

REF-SIC-D2pak-BP-1
REF-SIC-D2pak-BP-1
REF-SIC-D2pak-BP-1 REF-SIC-D2pak-BP-1 REF-SIC-D2pak-BP-1
×
modalImg

合作伙伴解决方案