英飞凌推出最新功率 MOSFET 技术 OptiMOS™ 7，采用创新的无引线稳健型功率封装。

OptiMOS™ 7 以业界一流的导通电阻提供极高的功率密度和能效。同时，它还降低了开关损耗，提高了 SOA 鲁棒性和雪崩电流能力，从而促进未来汽车应用的高效系统设计。英飞凌再次为未来的汽车应用设定了标准：

主要特性
  • 极低的RDS(on)
  • 高雪崩能力
  • 高 SOA 鲁棒性
  • 快速开关时间（打开/关闭）
  • 带铜夹的无引线封装
  • 领先的薄晶片铜技术
  • 领先的 300 毫米自有产线生产
  • 超出 AEC-Q101 标准的扩展认证
  • 英飞凌车规级设计与质量
  • 顶部散热封装
  • 支持 PPAP 的器件
主要优势
  • 高功率密度和效率
  • 增强的电流能力
  • 提高的设计鲁棒性
  • 卓越的开关性能
  • 高质量的车规级产品
  • 小封装& 高效冷却
  • 车规级产品
  • 最大限度减少导通损耗
主要优势
  • 更低的RDS(on)
    • 与OptiMOS™ 6 40V 相比，性能提升 25%。
    • 与OptiMOS™ 5 80V/100V 相比，性能提升 40%。
  • ID电流能力比上一代产品更大

OptiMOS™ 7 将分阶段推出以下创新且坚固耐用的汽车级封装：

OptiMOS™ 7

OptiMOS™ 7 40 V 产品将推动未来的汽车系统实现最高的功率密度和系统效率、最小的外形尺寸以及显著的空间节省，同时具备更优的散热性能、更低的系统成本，并提供易于设计且质量上乘的产品与应用方案。点击查看更多信息

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产品

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