1ED3323MC12N
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

1ED3323MC12N

8.5 A、5.7 kV（均方根值）单通道隔离栅极驱动器，具有短路保护和有源米勒钳位，已通过 UL 1577 和 VDE 0884-11 认证
数据手册
封装
评估板

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1ED3323MC12N
1ED3323MC12N
数据手册

商品详情

  • PD输出
    810 mW
  • RDSON_H（典型值）
    0.79 Ω
  • RDSON_L（典型值）
    0.51 Ω
  • RDSON_L（最大值）
    0.85 Ω
  • RthJA
    71.4 K/W
  • VBS UVLO (On)
    12 V
  • VBS UVLO (Off)
    11 V
  • 产品名称
    1ED3323MC12N
  • 关断传播延迟
    85 ns
  • 导通电阻 (RDSON_H)（最大值）
    1.3 Ω
  • 封装
    PG-DSO-16
  • 开通传播延迟
    85 ns
  • 电压等级
    2300 V
  • 认证标准
    Industrial
  • 输出电流 (Sink)
    8.5 A
  • 输出电流 (Source)
    6 A
  • 通道数
    1
  • 配置
    High-side
  • 隔离类型
    Galvanic isolation - Reinforced
推荐的
OPN
1ED3323MC12NXUMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-DSO-16
封装名 N/A
封装尺寸 1000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-DSO-16
封装名 -
封装尺寸 1000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
EiceDRIVER ™增强型单通道隔离栅极驱动器，具有 +6 A / -8.5 A 典型拉电流和灌电流峰值输出电流，采用 DSO-16 宽体封装，爬电距离为 8 mm，适用于 IGBT、MOSFET 和 SiC MOSFET。 1ED3323MC12N 属于 EiceDRIVER ™增强型 1ED332x 系列（F3 系列）。1ED3323 为 IGBT 和 SiC MOSFET 提供短路保护 (DESAT)。驱动器 IC 可在很宽的电源电压范围内工作，无论是单极还是双极，并且具有严格的部件间传播延迟匹配。

特性

  • 单通道隔离栅极驱动器
  • 适用于高达 2300 V 的 Si 和 SiC 开关
  • Galv.隔离无芯变压器
  • +6A/-8.5A典型吸收/源峰值输出。
  • 精确的 VCEsat 检测 (DESAT)
  • 软关断
  • 40 V 绝对最大值。输出电压
  • 85 ns 传播延迟
  • 高 CMTI >300 kV/μs
  • 短路钳位
  • 有源米勒钳位
  • DSO-16 300 mil 宽体封装
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