不建议用于新设计
符合RoHS标准
无铅

1EDN7146G

了解 EiceDRIVER™ 200 V 适用于 GaN SG HEMT 和 MOSFET 的高边 TDI 栅极驱动芯片
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封装
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1EDN7146G
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商品详情

  • Turn Off Propagation Delay
    125 ns
  • Package
    PG-VSON-10
  • Turn On Propagation Delay
    125 ns
  • Voltage Class
    200 V
  • Qualification
    Industrial
  • Output Current
    0.5 A
  • Output Current (Sink)
    0.5 A
  • Output Current (Source)
    0.5 A
  • Channels
    1
  • Configuration
    High-side
OPN
1EDN7146GXTMA1
产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
PG-VSON-10
封装名 N/A
包装尺寸 4000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
PG-VSON-10
封装名 -
包装尺寸 4000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
1EDN71x6Gx 是单通道栅极驱动芯片系列，针对英飞凌  CoolGaN™  SG HEMT 以及其他 GaN SG HEMT 和硅 MOSFET 进行了优化。 该栅极驱动器包含几个关键特性，可通过快速开关晶体管实现高性能系统设计，包括真正差分输入 (TDI)、0.5 A 峰值源电流和灌电流、有源米勒钳位、可调电荷泵和自举电压钳位。

特性

  • 52mW 空闲功耗和 >80% 效率 @2W 8Ω
  • 无电感器输出滤波
  • 出色的 EMI 性能
  • 0.03% 低 THD+N、52μVrms AW 噪声
  • 2x BTL、1x PBTL
  • 可配置 DSP 流程

应用

文档

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