2EDL5013U2D
不建议用于新设计
符合RoHS标准
无铅

2EDL5013U2D

120V HB 2EDL50X3U2D EiceDRIVER ™
数据手册
封装

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2EDL5013U2D
2EDL5013U2D
数据手册


商品详情

  • VBS UVLO (Off)
    3.6 V
  • VBS UVLO (On)
    3.8 V
  • 关断传播延迟
    20 ns
  • 开通传播延迟
    20 ns
  • 拓扑结构
    High-side and low-side
  • 电压等级
    120 V
  • 质量等级
    Industrial
  • 输入Vcc 范围
    4.5 V 至 5.5 V
  • 输出电流 (Source)
    3 A
  • 输出电流 (Sink)
    5 A
  • 通道
    2
  • 隔离类型
    Functional levelshift JI (Junction Isolated)

OPN
2EDL5013U2DXTMA1
产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
PG-TSNP-12
封装名 N/A
封装尺寸 5000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
TH
晶圆产地
JP

产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
PG-TSNP-12
封装名 -
封装尺寸 5000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
TH
晶圆产地
JP
在半桥配置中驱动高端和低端逻辑电平 MOSFET。120 V 自举电压，带有集成自举二极管和有源自举钳位机制，可避免自举电容器在死区期间过度充电。具有 TTL 逻辑兼容输入和分离输出，可以灵活地独立调整开启和关闭强度，并实施有源米勒钳位以避免感应开启。

特性

  • 集成 120 V 自举开关
  • 低传播延迟和延迟匹配
  • Strong 7 A 有源米勒钳位
  • 强电流能力
  • 小型 2x2 毫米 TSNP 封装
  • 有源自举钳位

产品优势

  • 无需外部自举二极管
  • 快速切换过渡
  • 更高的效率
  • 更高的功率密度
  • 诱导开启免疫

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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