2EDL900G3
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

2EDL900G3

EiceDRIVER™ 120V 电平转换栅极驱动芯片，专为驱动双高端、双低端或半桥结构的硅基 MOSFET 而设计。
数据手册

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2EDL900G3
2EDL900G3
数据手册

商品详情

  • 认证标准
    Industrial
  • 输入Vcc 范围
    3.8 V 至 15 V
  • 输出电压 范围
    0 V 至 16 V
  • 最高 输出电流
    4 A
  • 通道数
    2
推荐的
OPN
2EDL900G3XTMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称 PG-TSNP-16
封装名 N/A
封装尺寸 5000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称 PG-TSNP-16
封装名 -
封装尺寸 5000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
EiceDRIVER™ 2EDL900G3 是一款双通道电平转换栅极驱动芯片，具有双路浮置输出，用于驱动硅基 MOSFET。这款4 A/6 A 强驱动能力源 / 灌电流双通道栅极驱动器，集成了电流检测放大器。它还具有可编程死区时间和操作模式，例如三态单PWM模式、HSCC HS模式、HSCC LS模式、Hi/Li反相模式和Hi/Li模式。它采用 16 引脚 3x3 毫米封装。

特性

  • 双通道浮动输出驱动器
  • 强大的4A源和6A灌电流
  • 4V至16V驱动能力
  • 可配置死区时间或开启延迟
  • 集成电流检测放大器
  • 可配置操作模式

产品优势

支持多种功率拓扑，方案紧凑且散热能力强，适用于大功率应用，可灵活满足各类客户需求。
文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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