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5962R1821503VXF

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5962R1821503VXF
5962R1821503VXF

商品详情

  • ECC
    N
  • 密度
    144 MBit
  • 峰值回流温度
    220 °C
  • 工作温度
    -55 °C to 125 °C
  • 工作电压
    1.7 V to 1.9 V
  • 引线球表面
    Sn/Pb
  • 接口
    Parallel
  • 数据宽度
    x 36
  • 架构
    QDR-II+, ODT
  • 片上端接
    Y
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 系列
    QDR-II+
  • 组织(X x Y)
    4Mb x 36
  • 脉冲长度 (Words)
    2
  • 认证标准
    Military
  • 设备重量
    6152.8 mg
  • 读取延迟(周期)
    2
  • 银行切换
    N
  • 频率
    250 MHz
OPN
5962R1821503VXF
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
封装名 CCGA-165 (001-58969)
包装尺寸 1
包装类型 TRAY
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
封装名 CCGA-165 (001-58969)
包装尺寸 1
包装类型 TRAY
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准

特性

  • 144Mb 密度,4M x36 双字突发模式
  • 250MHz> 频率/ 36 Gbps 吞吐量
  • 两个独立的单向数据端口
  • 双倍数据速率 (DDR) 端口
  • 输出阻抗匹配输入
  • 存储核心位交错
  • 工作电压范围:1.7V 至 1.9V
  • –55°C 至 +125°C 军用温度等级
  • 165-ball陶瓷 CGA (CCGA)

应用

文档

设计资源

开发者社区

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