6ED2231S12T
现货,推荐
符合RoHS标准
无铅

6ED2231S12T

适用于 IGBT/SiC 模块和分立器件的 1200 V 三相栅极驱动器,带有集成自举二极管、过流保护和更严格的 UVLO 保护

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

6ED2231S12T
6ED2231S12T


商品详情

  • VBS UVLO (On)
    12.2 V
  • VBS UVLO (Off)
    11.3 V
  • VCC UVLO (Off)
    11.3 V
  • VCC UVLO (On)
    12.2 V
  • 产品名称
    6ED2231S12T
  • 关断传播延迟
    650 ns
  • 开通传播延迟
    700 ns
  • 拓扑结构
    Three Phase
  • 电压等级
    1200 V
  • 质量等级
    Industrial
  • 输入Vcc 范围
    13 V 至 20 V
  • 输出电流 (Sink)
    0.65 A
  • 输出电流 (Source)
    0.35 A
  • 通道
    6
  • 隔离类型
    Functional levelshift SOI (Silicon On Insulator)

OPN
6ED2231S12TXUMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
封装名 N/A
封装尺寸 1000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
ID
晶圆产地
MY

产品状态
Active
英飞凌封装名称
封装名 -
封装尺寸 1000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
ID
晶圆产地
MY
EiceDRIVER ™ 1200 V 三相栅极驱动器,具有典型的 0.35 A 拉电流和 0.65 A 灌电流,采用 DSO-24 引线封装,适用于 IGBT/SiC 模块和分立器件。 这款采用我们的 SOI 技术的高压、高速驱动器具有三个独立的高端和低端参考输出通道,并集成了过流保护等保护功能,具有快速准确的故障报告、直通保护和欠压锁定保护。

特性

  • 1200-V 薄膜 SOI 技术
  • 集成超快速二极管
  • 耐负电压。瞬态电压。
  • 输出源/接收器:+0.35 A/-0.65 A
  • 过流保护
  • Integ.460 ns 死区保护
  • 直通保护
  • Integ.用于噪声免疫的输入滤波器。
  • 独立欠压锁定
  • 故障报告
  • 匹配的道具。延迟所有通道。
  • 3.3,5、& 15 V 输入逻辑兼容。
文档

设计资源

开发者社区