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符合RoHS标准
无铅

AIMBF170R450M1

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汽车CoolSiC™ MOSFET 1700 V，采用 D2PAK 封装
数据手册
封装

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AIMBF170R450M1
AIMBF170R450M1
数据手册

商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    11.2 A
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    350 mΩ
  • 最高 VDS
    1700 V
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 技术
    CoolSiC™ G1
  • 极性
    N
  • 认证标准
    Automotive
推荐的
OPN
AIMBF170R450M1XTMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TO263-7
封装名 N/A
包装尺寸 1000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TO263-7
封装名 -
包装尺寸 1000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
英飞凌推出新型CoolSiC™ MOSFET 1700 V，为辅助电源和 DCDC 变换器提供新的反激式拓扑。我们的 SiC 沟道 MOSFET 技术提供 0V/20V 栅源极电压驱动，与大多数汽车应用的反激式控制器兼容。

特性

  • 针对反激拓扑进行了优化
  • Sense（开尔文）源引脚
  • Vgs 0V/20V 用于单极驱动
  • SMD封装
  • 扩散焊接芯片连接

产品优势

  • 降低开关损耗
  • 效率提升
  • 降低冷却负荷
  • 0V关断，优化物料清单

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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