现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

AIMZA75R008M1H

CoolSiC ™汽车 MOSFET 750 V G1 是一款高度坚固的 SiC MOSFET，可实现系统性能和可靠性的最佳组合
数据手册
封装
每件.
有存货

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AIMZA75R008M1H
AIMZA75R008M1H
每件.
数据手册

商品详情

  • ID (@25°C) max
    163 A
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    7.8 mΩ
  • VDS max
    750 V
  • 安装
    THT
  • 封装
    TO247 4-pin (asymmetric leads)
  • 工作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 技术
    CoolSiC™ G1
  • 极性
    N
  • 认证标准
    Automotive
推荐的
OPN
AIMZA75R008M1HXKSA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TO247-4
封装名 TO247 4-pin (asymmetric leads)
包装尺寸 240
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TO247-4
封装名 TO247 4-pin (asymmetric leads)
包装尺寸 240
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
CoolSiC ™ MOSFET 750 V G1 利用了英飞凌 20 多年的 SiC 经验。它在性能、可靠性和稳健性方面具有优势，具有栅极驱动灵活性，可实现简化且经济高效的系统设计，从而实现最高的效率和功率密度。

特性

  • 高度稳健的 750 V 技术
  • 一流的 RDS(on) x Qfr
  • 优秀的 Ron x Qoss 和 Ron x QG 
  • 低 Crss/Ciss 以及高 VGSth
  • 100% 雪崩测试
  • .XT 互连技术，实现一流的热性能

产品优势

  • 硬开关效率卓越
  • 实现更高的开关频率
  • 更高的可靠性
  • 可承受超过 500 V 的总线电压
  • 抗寄生转弯的鲁棒性
  • 单极驱动

文档

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设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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