AUIRF7769L2
在产
符合RoHS标准
无铅

AUIRF7769L2

100 V、N 通道、最大 3.5 mΩ、汽车 MOSFET、DirectFET L8、Gen 10.7
数据手册
封装

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AUIRF7769L2
AUIRF7769L2
数据手册


商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    124 A
  • 最高 Ptot
    125 W
  • 最高 Ptot (@ TA=25°C)
    3.3 W
  • Qgd
    200 nC
  • 最高 QG (typ @10V)
    300 nC
  • QG (typ @10V)
    200 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    3.5 mΩ
  • 最高 RthJC
    0.5 K/W
  • 最高 Tj
    175 °C
  • 最高 VDS
    100 V
  • VGS(th) 范围
    2 V 至 4 V
  • VGS(th)
    2.7 V
  • 最高 VGS
    20 V
  • 安装
    SMD
  • 封装
    MG-WDSON-11
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 技术
    Gen 10.7
  • 极性
    N
  • 湿度敏感等级
    1
  • 质量等级
    Automotive

推荐的
OPN
AUIRF7769L2TR
产品状态 active
英飞凌封装名称
MG-WDSON
封装名 DIRECTFET
封装尺寸 4000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
MG-WDSON
封装名 DIRECTFET
封装尺寸 4000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准

特性

  • 先进的工艺技术
  • 针对汽车应用进行了优化
  • 体积小巧，外形低调
  • 高功率密度
  • 低寄生参数
  • 双面冷却
  • 工作温度 175°C
  • 重复雪崩能力
  • 无铅、无 RoHS 指令、无卤素
  • 符合汽车行业标准
  • 支持 PPAP 的设备
文档

设计资源

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