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停产
已停产
符合RoHS标准
无铅

AUIRF8736M2

停产
40 V、N 通道、1.9 mΩ（最大值）、汽车 MOSFET、DirectFET M4、Gen 12.7
数据手册
封装

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AUIRF8736M2
AUIRF8736M2
数据手册

商品详情

  • ID (@25°C) max
    137 A
  • Ptot (@ TA=25°C) max
    2.5 W
  • Ptot max
    63 W
  • Qgd
    45 nC
  • QG (typ @10V) max
    136 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    1.9 mΩ
  • RthJA max
    60 K/W
  • Tj max
    175 °C
  • VDS max
    40 V
  • VGS(th) max
    3.9 V
  • VGS(th) min
    2.2 V
  • VGS max
    20 V
  • Mounting
    SMD
  • Package
    MG-WDSON-7
  • Operating Temperature
    -55 °C to 175 °C
  • Technology
    Gen 12.7
  • Polarity
    N
  • Moisture Sensitivity Level
    1
  • Qualification
    Automotive
OPN
AUIRF8736M2TR
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
MG-WDSON
封装名 DIRECTFET
包装尺寸 4800
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
MG-WDSON
封装名 DIRECTFET
包装尺寸 4800
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准

特性

  • 先进的工艺技术
  • 针对汽车应用进行了优化
  • 体积小巧，外形低调
  • 高功率密度
  • 低寄生参数
  • 双面冷却
  • 工作温度 175°C
  • 重复雪崩能力
  • 无铅、无 RoHS 指令、无卤素
  • 符合汽车行业标准
  • 支持 PPAP 的设备

应用

文档

文档

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