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AUIRFS4115TRL
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AUIRFS4115TRL

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商品详情

  • Country of Assembly (Last BE site, current, subject to change)
    China, Mexico
  • Country of Diffusion (Last FE site, current, subject to change)
    Taiwan
  • 最高 ID (@25°C)
    99 A
  • 最高 Ptot
    375 W
  • Qgd
    26 nC
  • 最高 QG (typ @10V)
    120 nC
  • QG (typ @10V)
    77 nC
  • QG
    26 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    12.1 mΩ
  • 最高 RthJC
    0.4 K/W
  • 最高 Tj
    175 °C
  • 最高 VDS
    150 V
  • VGS(th) 范围
    3 V 至 5 V
  • 最高 VGS
    20 V
  • 安装
    SMD
  • 封装
    D2PAK
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 技术
    Gen 10.7
  • 极性
    N
  • 湿度敏感等级
    1
  • 系列
    Automotive MOSFET
  • 认证标准
    Automotive
OPN
AUIRFS4115TRL
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-TO263-3
封装名 D2PAK
封装尺寸 800
封装类型 TAPE & REEL LEFT
湿度 N/A
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
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产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-TO263-3
封装名 D2PAK
封装尺寸 800
封装类型 TAPE & REEL LEFT
湿度 -
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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