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BCR22PN
停产
已停产
符合RoHS标准
无铅

BCR22PN

停产
数据手册
封装

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BCR22PN
BCR22PN
数据手册


商品详情

  • fT
    130 MHz
  • 最低 hFE
    50
  • 最高 ICBO
    100 nA
  • 最高 Ptot
    250 mW
  • R1 / R2
    1
  • R1
    22 kΩ
  • R2
    22 kΩ
  • 最高 VCBO
    50 V
  • 最高 VCE(sat)
    0.3 V
  • 最高 VCEO
    50 V
  • 最高 VEBO
    10 V
  • 最高 Vi (off)
    1.5 100µA / 5V
  • 最高 Vi (on)
    1.5 V
  • 最低 Vi (on)
    1 2mA / 0.3V
  • 安装
    SMT
  • 极性
    NPN/PNP (Dual)

OPN
BCR22PNH6327XTSA1
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
SOT363
封装名 SOT-363
封装尺寸 3000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
CN
晶圆产地
AT

产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
SOT363
封装名 SOT-363
封装尺寸 3000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
CN
晶圆产地
AT
NPN/PNP硅数字晶体管阵列

特性

  • 开关电路、逆变器、接口电路、驱动电路
  • 单个封装内含两个（电流）内部隔离的 NPN/PNP 晶体管
  • 内置偏置电阻 NPN 和 PNP（R1=22 kΩ，R2=22 kΩ）
  • 无铅（符合 RoHS 标准）封装
  • 符合 AEC Q101 要求

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区