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BGSX24M2U16
停产
已停产
符合RoHS标准
无铅

BGSX24M2U16

停产
DP4T MIPI 2.1天线交叉开关
数据手册

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BGSX24M2U16
BGSX24M2U16
数据手册


商品详情

  • Pmax
    39 dBm
  • 供电电压 范围
    1.65 V 至 1.95 V
  • 尺寸
    2.0 x 2.0 mm²
  • 开关器件类型
    DP4T
  • 控制接口
    MIPI 2.1
  • 插入损耗 (@1GHz)
    0.43 dB
  • 隔离 (@1GHz)
    47 dB
  • 频率范围
    0.4 – 7.125 GHz

OPN
BGSX24M2U16E6327XTSA1
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称 PG-ULGA-16
封装名 N/A
封装尺寸 4500
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
MY
晶圆产地
JP

产品状态 discontinued
英飞凌封装名称 PG-ULGA-16
封装名 -
封装尺寸 4500
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
MY
晶圆产地
JP
BGSX24M2U16 RF CMOS 开关专为 LTE 和 5G 天线应用而设计。这款双刀四掷 (DP4T) 交叉开关具有低插入损耗和低谐波产生。 该开关通过 MIPI RFFE 控制接口进行控制。片上控制器允许1.1至1.3V的超低电源电压或1.65至1.95V的标准电源电压。与 GaAs 技术不同，仅当外部施加直流电压时才需要在 RF 端口使用外部直流阻断电容器。该设备尺寸非常小，仅为 2.0 毫米 x 2.0 毫米，厚度为 0.6 毫米。

特性

  • 高达 39 dBm 输入功率时的高线性度
  • 适用于 5G SRS 应用的快速切换时间（最大 2 µs）
  • 低插入损耗和高达 7.125 GHz 的高端口间隔离度
  • 完全兼容 MIPI 2.1 RFFE 标准，具有 4 个 USID
  • 低电流消耗
  • 1.2V / 1.8 V VIO 支持
  • 软件和硬件可编程 USID
  • 超薄无铅塑料封装（MSL-1，260 °C，符合 IPC/JEDEC J-STD-20 标准）

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区