BSB165N15NZ3 G
在产
符合RoHS标准
无铅

BSB165N15NZ3 G

数据手册
封装

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BSB165N15NZ3 G
BSB165N15NZ3 G
数据手册

商品详情

  • Ciss
    2100 pF
  • Coss
    240 pF
  • 最高 ID (@25°C)
    45 A
  • 最高 IDpuls
    180 A
  • 最高 Ptot
    78 W
  • QG (typ @10V)
    26 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    16.5 mΩ
  • Rth
    1.6 K/W
  • 最高 VDS
    150 V
  • VGS(th) 范围
    2 V 至 4 V
  • VGS(th)
    3 V
  • 封装
    DirectFET (M)
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 150 °C
  • 微型模板
    IRF66MZ-25
  • 极性
    N
  • 预算价格€/1k
    1.04, 1.04
推荐的
OPN
BSB165N15NZ3GXUMA3 BSB165N15NZ3GXUMA2
产品状态 active active
英飞凌封装名称
MG-WDSON-5
MG-WDSON-5
封装名 N/A N/A
封装尺寸 4800 5000
封装类型 TAPE & REEL TAPE & REEL
湿度 3 3
防潮封装 DRY DRY
无铅 Yes Yes
无卤素 Yes Yes
符合RoHS标准 Yes Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
MG-WDSON-5
封装名 -
封装尺寸 4800
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准

产品状态
Active
英飞凌封装名称 MG-WDSON-5
封装名 -
封装尺寸 5000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
与排名第二的竞争对手相比，150V OptiMOS ™的 R DS(on) 降低了 40%，品质因数 (FOM) 降低了 45%。这一重大改进开辟了新的可能性，例如从引线封装转向 SMD 封装或用一个 OptiMOS ™部件有效地替换两个旧部件。

特性

  • 卓越的开关性能
  • 全球最低的 R DS(on)
  • 低 Q g 和 Q gd
  • 卓越的栅极电荷
  • 符合 RoHS 标准 - 无卤素
  • MSL1 级

产品优势

  • 环保
  • 提高效率
  • 最高功率密度
  • 所需并联更少
  • 最小的电路板空间消耗
易于设计的产品23
文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区