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BSC019N08NS5
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BSC019N08NS5

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OptiMOS ™ 5 功率 MOSFET 80V SuperSO8 中同类最佳
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BSC019N08NS5
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商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    237 A
  • 最高 IDpuls
    948 A
  • 最高 Ptot
    214 W
  • QG (typ @10V)
    94 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    1.9 mΩ
  • 最高 VDS
    80 V
  • VGS(th) 范围
    2.2 V 至 3.8 V
  • VGS(th)
    3 V
  • 封装
    SuperSO8 5x6
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 极性
    N
  • 蓄电池电压
    36-48 V

OPN
BSC019N08NS5ATMA1
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-TSON-8
封装名 SuperSO8 FL
封装尺寸 5000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
MY
晶圆产地
AT,DE
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产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-TSON-8
封装名 SuperSO8 FL
封装尺寸 5000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
MY
晶圆产地
AT,DE
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SuperSO8 中的 OptiMOS ™ 5 MOSFET 可实现高功率密度和更高的稳健性，满足了降低系统成本和提高性能的需求。该产品专为电信和服务器电源的同步整流而设计。低反向恢复电荷 (Qrr) 通过降低电压过冲来提高系统可靠性，最大限度地减少对缓冲电路的需求，从而节省成本。

特性

  • 最低的 RDS(on) 可实现最高的功率密度和效率
  • 更高的额定工作温度（高达 175°C），从而提高可靠性
  • 低 RthJC 可实现出色的热性能
  • 更低的反向恢复电荷 (Qrr)

产品优势

  • 降低满载温度
  • 减少并联
  • 减少过冲
  • 提高系统功率密度
  • 减小尺寸
  • 降低系统成本
  • 减少工程成本和工作量
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