BSC027N10NS5
不建议用于新设计
符合RoHS标准

BSC027N10NS5

采用 SuperSO8 封装的 OptiMOS™ 175°C 功率 MOSFET
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封装
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BSC027N10NS5
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数据手册


商品详情

  • 最高 ID
    194 A
  • 最高 ID (@25°C)
    194 A
  • 最高 ID (@ TC=25°C)
    194 A
  • 最高 IDpuls
    776 A
  • 最高 Ptot
    214 W
  • QG (typ @10V)
    89 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    2.7 mΩ
  • 最高 VDS
    100 V
  • VGS(th)
    3 V
  • 安装
    SMT
  • 封装
    SuperSO8 5x6
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 引脚数量
    8 Pins
  • 极性
    N
  • 预算价格€/1k
    1.88

OPN
BSC027N10NS5ATMA1
产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
PG-TSON-8
封装名 SuperSO8 FL
封装尺寸 5000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
MY
晶圆产地
AT,DE
视图替换

产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
PG-TSON-8
封装名 SuperSO8 FL
封装尺寸 5000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
MY
晶圆产地
AT,DE
视图替换
英飞凌采用 SuperSO8 封装的 OptiMOS ™ MOSFET 扩展了 OptiMOS ™ 3 和 5 产品组合，除了提高稳健性之外，还实现了更高的功率密度，满足了降低系统成本和提高性能的需求。低反向恢复电荷 (Qrr) 可显著降低电压过冲，从而提高系统可靠性，最大限度地减少对缓冲电路的需求，从而减少工程成本和工作量。
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