BSC0703LS

BSC0703LS

完美满足充电器和适配器设计的需求
数据手册

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BSC0703LS
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数据手册


商品详情

  • Ciss
    1400 pF
  • Coss
    300 pF
  • 最高 ID (@25°C)
    64 A
  • 最高 ID
    64 A
  • 最高 IDpuls
    256 A
  • 最高 Ptot
    46 W
  • QG (typ @4.5V)
    10 nC
  • QG (typ @10V)
    18 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    6.5 mΩ
  • 最高 RDS (on) (@4.5V LL)
    9.2 mΩ
  • 最高 RDS (on) (@4.5V)
    9.2 mΩ
  • 最高 RthJA
    50 K/W
  • 最高 RthJC
    2.7 K/W
  • Rth
    2.7 K/W
  • 最高 VDS
    60 V
  • VGS(th) 范围
    1.1 V 至 2.3 V
  • VGS(th)
    1.7 V
  • 安装
    SMD
  • 封装
    SuperSO8
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 150 °C
  • 引脚数量
    8 Pins
  • 极性
    N

OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
OptiMOS ™ PD 功率 MOSFET 是英飞凌针对 USB-PD 和适配器应用的产品组合。该产品具有快速提升和优化交货时间的特点。用于电力传输的 OptiMOS ™低压 MOSFET 可减少设计中的零件数量，从而降低 BOM 成本。OptiMOS ™ PD 的特点是采用紧凑、轻便的封装，提供优质的产品。单击此处查看完整产品组合。

特性

  • 逻辑电平可用性
  • 低导通电阻 RDS(on)
  • 低栅极、输出和反向恢复电荷
  • 出色的热性能
  • 提供 2 种小型标准封装

产品优势

  • 交货周期短（≤10周）
  • 快速报价响应
  • 最高效率和功率密度设计
  • 紧凑、轻便、环保的产品
  • 卓越的性价比

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区