BSL302SN

采用 TSOP-6 封装的 N 沟道小信号 MOSFET 30 V

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BSL302SN
BSL302SN

商品详情

  • Ciss
    564 pF
  • Coss
    202 pF
  • ID max
    7.1 A
  • IDpuls max
    28 A
  • Ptot max
    2 W
  • QG
    4.4 nC
  • RDS (on) max
    25 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) max
    38 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V LL) max
    38 mΩ
  • RthJA max
    230 K/W
  • VDS max
    30 V
  • VGS(th)
    1.2 V to 2 V
  • 安装
    SMD
  • 封装
    TSOP-6
  • 工作温度 min
    -55 °C
  • 引脚数量
    6 Pins
  • 极性
    N
  • 模式
    Enhancement
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
包装尺寸
包装类型
湿度
防潮包装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:
英飞凌科技为汽车和工业制造商提供广泛的 N 和 P 沟道小信号 MOSFET 产品组合,这些产品满足并超越知名行业标准封装的最高质量要求。这些组件具有无与伦比的可靠性和制造能力,非常适合各种应用,包括 LED 照明、ADAS、车身控制单元、SMPS 和电机控制。

特性

  • 增强模式
  • 逻辑电平
  • 雪崩额定
  • 快速开关
  • Dv/dt额定
  • 无铅镀层
  • 符合RoHS标准,不含卤素
  • 符合汽车标准
  • 支持PPAP

产品优势

  • 低 RDS(on) 提供更高效率并延长电池寿命
  • 小型封装节省 PCB 空间
  • 一流的质量和可靠性

应用

文档

设计资源

开发者社区

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