BSL314PE

BSL314PE

P沟道增强模式场效应晶体管 (FET),-100 V,SOT-223

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BSL314PE
BSL314PE
  • Ciss
    221 pF
  • Coss
    126 pF
  • 最高 ID
    -1.5 A
  • 最高 IDpuls
    -6.1 A
  • 最高 Ptot
    0.5 W
  • QG
    -2.9 nC
  • 最高 RDS (on)
    140 mΩ
  • 最高 RDS (on) (@4.5V)
    230 mΩ
  • 最高 RDS (on) (@4.5V LL)
    230 mΩ
  • 最高 RthJA
    250 K/W
  • Rth
    250 K/W
  • 最高 VDS
    -30 V
  • VGS(th) 范围
    -1 V 至 -2 V
  • 安装
    SMD
  • 封装
    TSOP-6 dual
  • 最低 工作温度
    -55 °C
  • 引脚数量
    6 Pins
  • 极性
    P
  • 模式
    Enhancement
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:
英飞凌科技为汽车和工业制造商提供广泛的 N 和 P 沟道小信号 MOSFET 产品组合,这些产品满足并超越知名行业标准封装的最高质量要求。这些组件具有无与伦比的可靠性和制造能力,非常适合各种应用,包括 LED 照明、ADAS、车身控制单元、SMPS 和电机控制。

特性

  • 增强模式
  • 逻辑电平
  • 雪崩额定
  • 快速开关
  • Dv/dt额定
  • 无铅镀层
  • 符合RoHS标准,不含卤素
  • 符合汽车标准
  • 支持PPAP

产品优势

  • 低 RDS(on) 提供更高效率并延长电池寿命
  • 小型封装节省 PCB 空间
  • 一流的质量和可靠性

应用

文档

设计资源

开发者社区

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