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BSP321P
停产
已停产
符合RoHS标准
无铅

BSP321P

停产
P沟道增强模式场效应晶体管 (FET)，-100 V，SOT-223
数据手册
封装

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BSP321P
BSP321P
数据手册


商品详情

  • Ciss
    240 pF
  • Coss
    62 pF
  • 最高 ID (@25°C)
    0.98 A
  • 最高 IDpuls
    -3.9 A
  • 最高 Ptot
    1.8 W
  • QG (typ @10V)
    9 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    900 mΩ
  • Rth
    115 K/W
  • Special Features
    Small Power
  • 最高 VDS
    -100 V
  • VGS(th) 范围
    -2.1 V 至 -4 V
  • 安装
    SMD
  • 封装
    SOT-223
  • 最高 工作温度
    150 °C
  • 引脚数量
    3 Pins
  • 极性
    P
  • 模式
    Enhancement

OPN
BSP321PH6327XTSA1
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-SOT223-4
封装名 SOT-223
封装尺寸 1000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-SOT223-4
封装名 SOT-223
封装尺寸 1000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
英飞凌科技为汽车和工业制造商提供广泛的 N 和 P 沟道小信号 MOSFET 产品组合，这些产品满足并超越知名行业标准封装的最高质量要求。凭借无与伦比的可靠性和制造能力，这些组件非常适合各种应用，包括 LED 照明、ADAS、车身控制单元、SMPS 和电机控制。

特性

  • 增强模式
  • 正常级别
  • 雪崩额定值
  • 快速开关
  • Dv/dt额定值
  • 无铅镀层
  • 符合RoHS标准，不含卤素
  • 符合汽车标准
  • 具备PPAP功能

产品优势

  • 低 RDS(on) 提供更高的效率并延长电池寿命
  • 小型封装节省 PCB 空间
  • 一流的质量和可靠性

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区