BSS131I
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

BSS131I

采用 SOT23 封装且击穿电压为 240 V 的工业级 N 沟道小信号 MOSFET
数据手册
封装

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BSS131I
BSS131I
数据手册

商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    0.121 A
  • QG (typ @4.5V)
    1.11 nC
  • QG (typ @10V)
    1.96 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    14000 mΩ
  • 最高 RDS (on) (@4.5V)
    20000 mΩ
  • 最高 VDS
    240 V
  • VGS(th) 范围
    0.8 V 至 1.8 V
  • VGS(th)
    1.4 V
  • 封装
    SOT-23
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 150 °C
  • 极性
    N
  • 特殊功能
    Small Signal
推荐的
OPN
BSS131IXUSA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-SOT23-3
封装名 SOT-23
封装尺寸 3000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 2
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-SOT23-3
封装名 SOT-23
封装尺寸 3000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 2
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
英飞凌的小信号和小功率 MOSFET 具有最佳的性价比和小尺寸封装，最适合广泛的应用和电路。这些包括低压驱动器、线性电池充电器、电池保护、负载开关、DC-DC转换器、反极性保护等。

特性

  • 100% 雪崩测试
  • 逻辑级别
  • 无铅电镀；符合 RoHS 规定
  • 符合工业应用要求

产品优势

  • 快速切换
  • 雪崩强度
  • 一流的质量和可靠性
  • 环保
  • 实现稳健的设计
文档

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